[发明专利]发光器件、包括发光器件的像素结构及其制造方法

权利要求书

1.一种发光器件，所述发光器件包括：

第一半导体层；

第二半导体层，面对所述第一半导体层；

活性层，置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；

第一绝缘膜，围绕所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述活性层中的至少一个的外表面；以及

第二绝缘膜，围绕所述第一绝缘膜的外表面。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二绝缘膜包括有机聚合物材料。

3.根据权利要求2所述的发光器件，所述发光器件还包括：

疏水层，设置在所述第二绝缘膜的表面的至少一部分上。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二绝缘膜包括聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯(PE)、聚酰胺(PA)、聚酯和聚四氟乙烯(PTFE)中的至少一种。

5.一种像素结构，所述像素结构包括：

基底；

电极组件，包括设置在所述基底上的第一电极以及与所述第一电极设置在同一平面上以与所述第一电极间隔开的第二电极；

发光器件，在所述第一电极与所述第二电极之间排列；以及

结合电极组件，包括第一结合电极和第二结合电极，所述第一结合电极形成在所述第一电极上以将所述发光器件的第一端和所述第一电极结合，所述第二结合电极形成在所述第二电极上以将所述发光器件的第二端和所述第二电极结合，

其中，所述发光器件包括：

第一半导体层；

第二半导体层，面对所述第一半导体层；

活性层，置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；

第一绝缘膜，围绕所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述活性层中的至少一个的外表面；以及

第二绝缘膜，围绕所述第一绝缘膜的外表面。

6.根据权利要求5所述的像素结构，所述像素结构还包括：

第一疏水层，形成在所述第二绝缘膜的被暴露的表面上。

7.根据权利要求6所述的像素结构，所述像素结构还包括：

有机层，设置在所述发光器件上。

8.根据权利要求7所述的像素结构，所述像素结构还包括：

第二疏水层，形成在所述有机层的表面上。

9.根据权利要求8所述的像素结构，所述像素结构还包括：

坝结构，设置在所述第一电极和所述第二电极的外部，并且包括有机材料。

10.根据权利要求9所述的像素结构，所述像素结构还包括：

第三疏水层，形成在所述坝结构的表面上。

11.根据权利要求10所述的像素结构，其中，所述第一结合电极和所述第二结合电极形成在没有形成所述第一疏水层、所述第二疏水层和所述第三疏水层的区域中。

12.根据权利要求5所述的像素结构，所述像素结构还包括：

绝缘层，设置在所述基底与所述发光器件之间，并且包括无机材料。

13.一种制造像素结构的方法，所述方法包括以下步骤：

在基底上形成第一电极和第二电极以在所述第一电极与所述第二电极之间具有预定间隔；

在所述第一电极和所述第二电极的外部形成坝结构，所述坝结构由有机材料形成；

在所述第一电极和所述第二电极上形成绝缘层，所述绝缘层由无机材料形成；

使发光器件在所述第一电极与所述第二电极之间排列；

对其上排列有所述发光器件的所述基底进行等离子处理；

去除所述绝缘层的至少一部分；以及

形成将所述发光器件结合到所述第一电极的第一结合电极和将所述发光器件结合到所述第二电极的第二结合电极。