[发明专利]晶圆的检查方法及检查装置

说明书

提供能够识别是否是从晶圆的背面到达至正面的缺陷、仅存在于正面或者背面的缺陷、或仅存在于晶圆内部的缺陷的晶圆的检查方法及检查装置。检查装置向晶圆(W)的检查面(2)照射红外线(IR)或X射线，检测透过检查面的红外线或X射线的透过光(TL)的强度，分别检测每个将检查面划分的既定面积的强度，求出表示每个既定面积的强度与其频率的关系的直方图的轮廓，根据相对于被预先储存的特定的缺陷的直方图的轮廓的特征和被求出的直方图的轮廓识别缺陷。

技术领域

本发明涉及检查硅晶圆、硅外延晶圆的缺陷的晶圆的检查方法及检查装置。

背景技术

在硅晶圆处有在制造时、搬运时产生微小的破碎(裂纹)的情况。作为检查这样的裂纹等有无的方法，已知如下方法：向硅晶圆供给红外照明光，将作为红外照明光的光束中的圆偏光成分借助圆偏光滤波器射出，拍摄透过圆偏光滤波器而在硅晶圆反射的光束的圆偏光成分，运算被拍摄的光束的圆偏光成分的图像数据，且不存在裂纹的部位的正反射光不透过圆偏光滤波器，利用由裂纹处的漫反射产生的无偏光透过圆偏光滤波器，检查裂纹等缺陷的有无(专利文献1)。

专利文献1 : 日本特开2013-036888号公报。

在硅晶圆的缺陷中，除了上述的裂纹以外，还有晶体成长时被导入的小孔缺陷及双晶缺陷、晶圆热处理时被导入的滑移缺陷、晶圆搬运时被导入的损伤等各种各样的缺陷。若将这些缺陷在其存在部位分类，则能够分类成从晶圆的背面穿透至正面侧的缺陷(以下也称作从晶圆的背面到达正面的缺陷。)、仅在晶圆的正面或者背面存在的缺陷(不穿透至正面的缺陷)、仅在晶圆内部存在而从晶圆正面及背面观察不到的缺陷。然而，上述以往的检查方法中，存在如下问题：即使能够检查裂纹等缺陷的有无，也无法判别为从晶圆的背面到达正面的缺陷、仅存在于晶圆的正面或者背面的缺陷、仅在晶圆内部存在的缺陷。

发明内容

本发明所要解决的问题在于，提供一种能够识别是否是从晶圆的背面到达至正面的缺陷、仅存在于正面或者背面的缺陷、仅存在于晶圆内部的缺陷的晶圆的检查方法及检查装置。特别地，在于提供能够识别是否是从晶圆的背面到达至正面的缺陷、仅在背面而不穿透至正面侧的缺陷的晶圆的检查方法及检查装置。

本发明借助晶圆的检查方法解决上述问题，前述晶圆的检查方法为，向作为被检查体的晶圆的检查面照射红外线或X射线，检测透过前述检查面的前述红外线或前述X射线的透过光的强度，制作前述透过光的强度的面内分布图，根据前述强度的面内分布图特定缺陷的位置，在被特定的前述缺陷的位置，分别检测将检查面划分的平均既定面积的强度，求出表示前述平均既定面积的强度与其频率的关系的直方图的轮廓，预先储存相对于特定的缺陷的直方图的轮廓的特征，根据被储存的前述特征和被求出的前述直方图的轮廓识别缺陷。

此外，本发明借助晶圆的检查方法解决上述问题，前述晶圆的检查方法为，向作为被检查体的晶圆的检查面照射红外线或X射线，检测透过前述检查面的前述红外线或前述X射线的透过光的强度，制作前述透过光的强度的面内分布图，根据前述强度的面内分布图特定缺陷的位置，在被特定的前述缺陷的位置，分别检测将检查面划分的平均既定面积的强度，分别求出前述平均既定面积的强度的差量，求出表示前述平均既定面积的强度的差量与其频率的关系的直方图的轮廓，预先储存相对于特定的缺陷的直方图的轮廓的特征，根据被储存的前述特征和被求出的前述直方图的轮廓识别缺陷。

此外，本发明借助晶圆的检查装置解决上述问题，前述晶圆的检查装置具备照射部、缺陷位置特定部、强度检测部、轮廓生成部、判定部，前述照射部向作为被检查体的晶圆的检查面照射红外线或X射线，前述缺陷位置特定部检测透过前述检查面的前述红外线或前述X射线的透过光的强度，制作前述透过光的强度的面内分布图，根据前述强度的面内分布图特定缺陷的位置，前述强度检测部在被特定的前述缺陷的位置，分别检测将检查面划分的平均既定面积的强度，前述轮廓生成部求出表示前述平均既定面积的强度与其频率的关系的直方图的轮廓，前述判定部预先储存相对于特定的缺陷的直方图的轮廓的特征，根据被储存的前述特征和被前述轮廓生成部求出的前述直方图的轮廓识别缺陷。