[发明专利]有机-无机杂化光刻胶工艺液体组合物

说明书

本发明涉及一种在有机‑无机杂化光刻胶的薄膜形成工艺、显影工艺、剥离工艺中使用的有机‑无机杂化光刻胶工艺液体组合物及其处理方法。工艺液体组合物由：化学式1的化合物，以及酮类、酯类、醚类、添加剂或它们的混合物组成。工艺液体组合物不仅对有机物的处理优异而且对无机物的吸附能力优异而使无机物的残留最小化，从而能够预防工艺不良。

技术领域

本发明涉及一种在基材上形成有机-无机杂化光刻胶的工艺中或在处理所形成的有机-无机杂化光刻胶时适用的工艺液体组合物及利用该工艺液体组合物的有机-无机杂化光刻胶处理方法。

背景技术

利用光刻胶的工艺从很早以前就被使用在半导体工艺中。但是随着不断进行微细化，能够微细化的光刻胶的曝光光源也发生变化，由此光刻胶的材料也在发生变化。从利用I-线(I-line)光源的光刻胶开始，开发了适合于利用KrF、ArF浸没式(Emmersion)、EUV光源的工艺中的材料。但是，随着使用专用且适合于微细图案化的材料，发生这些材料的蚀刻耐性等物理特性降低的问题，因而采用有机-无机杂化材料作为一种应用登场。由于聚硅氧烷、聚硅氮烷等有机-无机杂化材料具有各种优异的物性，因而在半导体工艺中被使用为缝隙填充用材料及反射防止膜等的材料，但本身不具有感光性特性，因而并不直接被使用为图案化材料。

但是，最近正在利用钴、铪、锡及锑等来制备有机-无机杂化材料而开发能够图案化的材料，并且为了将它们适用于半导体工艺中，需要能够处理它们的药液。

通常，在以旋转法的方式涂布光刻胶溶液来形成感光性膜时，同时实施边缘冲洗工艺，另外与此同时，为了防止晶圆背面的污染而实施背面冲洗。另外，在涂布的光刻胶上进行曝光之后，进行显影工艺。另外，当在形成涂布膜之后发生问题时或工艺结束之后为了去除光刻胶膜而需要进行剥离、清洗或冲洗。

现有的光刻胶，为了处理由有机物组成的光刻胶或最近正在开发的有机-无机杂化光刻胶，需要新的材料的组合物。因此，本发明的目的在于提供一种在形成有机-无机杂化光刻胶涂膜的工艺及对它们进行剥离、清洗及冲洗的工艺中没有问题的处理溶剂以及使用其的有机-无机杂化光刻胶的处理方法。另外，有机-无机杂化光刻胶包含有无机物，因而对它们的溶解性必须优异且无机物的去除性必须优异。并且，其目的在于提供一种不会给光刻胶的涂膜带来影响的处理溶剂及处理方法。

发明内容

要解决的技术问题

本发明为了解决上述问题，其目的在于提供一种具有在利用有机-无机杂化光刻胶进行图案化工艺中，能够对涂布膜形成不会带来影响的同时防止通过边缘冲洗或背面冲洗的晶圆基材的污染，并能够在曝光工艺之后进行显影，且在有机-无机杂化光刻胶的涂布错误或工艺结束之后将其去除的剥离、清洗及冲洗工艺中不产生颗粒问题的具有优异性能的处理溶剂，并提供利用其的处理方法。

解决问题的方法

对于在使用有机-无机杂化光刻胶的工艺中，在与涂布有机-无机杂化光刻胶的工艺同时实现的边缘冲洗工艺及背面冲洗工艺、曝光之后的显影工艺、去除光刻胶的返工工艺中，处理有机-无机杂化光刻胶的剥离、清洗及冲洗液的组合物。

有机-无机杂化光刻胶组合物是在通过EUV、ArF及KrF激光照射进行的图案化工艺中所使用的材料，且这些无机物由钴(Co)、锑(Sb)、铪(Hf)、钯(Pd)、锡(Sn)及它们的混合物组成，也有由有机配体和阳离子无机配体组成的情况。

有机-无机杂化光刻胶工艺液体组合物是包含下面的化学式1的组合物。

[化学式1]

上述化学式1中，R₁、R₂及R₃相互独立地为碳数为1至6的烷基、苄基或烷基醇基。

有机-无机杂化光刻胶工艺液体组合物可以由以下组成来使用，即：由