[发明专利]静电卡盘及静电卡盘的制造方法在审
申请号: | 201980052004.5 | 申请日: | 2019-08-27 |
公开(公告)号: | CN112534565A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 小野浩司 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴克鹏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 卡盘 制造 方法 | ||
本公开的静电卡盘(1)具备板状的陶瓷基体(2)和静电吸附用电极(3)。上述陶瓷基体(2)包含主成分为氧化铝的多个粒子。该多个粒子包含具有镁原子和锆原子的粒子。
技术领域
本公开涉及静电卡盘及静电卡盘的制造方法。
背景技术
作为静电卡盘,已知有例如PVD装置或CVD装置等成膜装置或曝光装置等所使用的静电卡盘。另外,例如已知有日本特开2008-251737号公报(以下,也称为专利文献1)中记载的静电卡盘。以往,在PVD装置、CVD装置或离子镀装置等成膜装置、曝光装置或蚀刻装置等中,为了高精度地固定硅晶片等被加工物,而使被加工物吸附于被精加工成平坦且平滑的板状体的表面。作为该吸附手段,使用利用静电吸附力的静电卡盘。
该静电卡盘在包含陶瓷的板状的基体的一个主面(一个最宽的面)具有试样保持面。静电卡盘在基体的内部或另一个主面(另一个最宽的面)具备静电吸附用电极。关于静电卡盘,对静电吸附用电极施加DC电压,从而在与被加工物之间显现由介电极化产生的库仑力、或者由微小的漏电流产生的约翰逊·拉别克力等静电吸附力。静电卡盘能够使被加工物吸附固定于试样保持面。
需要说明的是,在静电卡盘上,按照从与被加工物的周边部对应的试样保持面的周边部自如突出的方式,设置有用于使被加工物从试样保持面脱离的升降销。
发明内容
本公开的静电卡盘具备陶瓷基体和静电吸附用电极,上述陶瓷基体为板状,在一个主面具有试样保持面,上述静电吸附用电极设置于该陶瓷基体的内部或另一个主面,上述陶瓷基体包含主成分为氧化铝的多个粒子,该多个粒子包含具有镁原子和锆原子的粒子。
附图说明
图1是本公开的静电卡盘的俯视图。
图2是本公开的静电卡盘和被加工物的纵截面图。
图3是表示图1所示的陶瓷基体中的具有镁原子、锆原子的氧化铝粒子的存在形态以及该粒子内的上述原子的存在区域的图。
图4是表示本公开的静电卡盘的另一例的纵截面图。
具体实施方式
以下,使用附图对本公开的静电卡盘1的例子进行详细说明。
图1和图2所示的静电卡盘1具备陶瓷基体2和静电吸附用电极3。具体而言,陶瓷基体2也可以形成为具有与硅晶片等被加工物A相同程度的大小的圆板状,且在该陶瓷基体2的内部埋设有静电吸附用电极3。
并且,如图1所示,也可以在陶瓷基体2的一个主面设置多个凸部6,凸部6各自的突端具有平滑的面,构成试样保持面。需要说明的是,凸部6的数量不限于图中示出的图案的数量。
静电吸附用电极3与导线8连接,静电吸附用电极3可以介由导线8与直流电源9连接。另一方面,吸附于试样保持面的被加工物A也可以与接地(日文:アース)直接或利用等离子体进行电连接。由此,能够在静电吸附用电极3与被加工物A之间显现静电吸附力。其结果是,能够将被加工物A吸附固定。
在陶瓷基体2的中央部可以设置从另一个主面(图的下表面)贯通至一个主面(图的上表面)的气体导入孔7。另外,凸部6与凸部6之间成为气体流路5,该气体流路5与气体导入孔7可以连通。
在将加工物A吸附于试样保持面时,能够从气体导入孔7向由被加工物和气体流路5构成的空间供给氦气等冷却气体。由此,能够提高试样保持面与被加工物A之间的热传递性,均匀地控制被加工物的温度分布。
需要说明的是,如图1所示,静电卡盘1可以沿着陶瓷基体2的一个主面的外周形成有周壁4,而使凸部6、被加工物A和气体流路5所成的空间成为封闭的空间。由此,能够防止从气体导入孔7供给的冷却气体大量泄漏到外部。该周壁4可以根据目的设置,也可以不设置。另外,周壁4可以与陶瓷基体2一体地形成,也可以分体地形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造