[发明专利]静电卡盘及静电卡盘的制造方法在审
| 申请号： | 201980052004.5 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112534565A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 小野浩司 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H02N13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴克鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 卡盘 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种静电卡盘，其具备陶瓷基体和静电吸附用电极，所述陶瓷基体为板状，在一个主面具有试样保持面，所述静电吸附用电极设置于该陶瓷基体的内部或另一个主面，所述陶瓷基体包含主成分为氧化铝的多个粒子，该多个粒子包含具有镁原子和锆原子的粒子。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中，所述陶瓷基体中，锆的含量C2相对于镁的含量C1之比C2/C1为1以上，其中C1和C2的单位为mol。
3.根据权利要求2所述的静电卡盘，其中，所述陶瓷基体中，所述C2相对于铝的含量C3之比C2/C3为0.01以下，其中C2和C3的单位为mol。
4.一种静电卡盘用基板的制造方法，其特征在于，包括如下工序：
通过溶胶-凝胶法制作氧化铝-氧化锆粉末的工序；
将所述氧化铝-氧化锆粉末与氧化铝粉末混合来制作陶瓷材料的工序；以及
将所述陶瓷材料烧成的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
