[发明专利]使用镍和磷形成电路材料的方法在审

专利信息
申请号: 201980051765.9 申请日: 2019-08-02
公开(公告)号: CN112640091A 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: P·V·佩萨文托;D·P·里默;M·E·柔恩 申请(专利权)人: 哈钦森技术股份有限公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 王永建
地址: 美国明*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 使用 形成 电路 材料 方法
【说明书】:

镀覆导电材料的方法包括提供导电材料。由至少一种溶剂、镍源、磷源、还原剂、pH控制材料、稳定剂和络合剂组成的水浴溶液用于镀覆导电材料。导电材料接触浴溶液。化学镀在导电材料的顶部上进行,并且所述镀层包含约88至93重量百分比(wt.%)的镍和至少7至约12重量百分比(wt.%)的磷,以形成镍‑磷镀层。所述镀层的厚度为约50至约300nm,并且所述镀层大体是一致的,在整个镀层表面上其表面厚度在平均厚度的20%以内。

相关申请

本申请要求于2018年8月3日提交的题为“使用镍和磷形成电路材料的方法”的美国临时专利申请62/714,594和2019年8月1日提交的题为“使用镍和磷形成电路材料的方法”的美国专利申请16/529,614的权益和优先权。

技术领域

本发明的实施例涉及形成电路材料的方法。更具体地,该方法包括使用镍和高磷含量的材料来形成诸如柔性电路之类的电路。

背景技术

诸如柔性电路之类的电路通常包括导电层和绝缘层。柔性电路可以用于形成各种电子部件或设备。在一个示例中,诸如磁盘驱动器中使用的柔性件之类的柔性电路是如下结构,所述结构柔性地支撑靠近旋转磁盘的读/写换能器,同时还支撑用于向换能器和从换能器传导电信号的柔性电路。该材料通常包括基底、介电聚合物层和导电材料。形成这种材料的一种方法包括在导电材料的顶部上进行化学镀。

在已经化学镀的电路中使用的所得导电材料中可能发生的一个问题是不可接受的高阶到阶(逐阶)带宽变化。因此,所期望的是,具有一种形成电路(例如,柔性电路)的材料的方法,该方法不具有不可接受的高阶到阶带宽变化并且以简单、有效和成本有效的方式完成而不会引起其他意外问题。

发明内容

根据一种方法,形成电路,其包括形成基底,形成介电聚合物层以及形成籽晶(种子)层,其中,所述介电聚合物层位于所述基底和所述籽晶层之间。将导电材料放置在所述籽晶层的第一部分上。使所述导电材料与水浴溶液接触或在水浴溶液中接触。在所述导电材料的顶部上进行化学(非电解)镀。所述化学镀包括水浴溶液(使用水浴溶液形成化学镀层),所述水浴溶液包含至少一种溶剂、镍源、磷源、还原剂、pH控制材料、稳定剂和络合剂。镀层包含约88至93重量百分比(wt.%)的镍和至少7至约12重量百分比(wt.%)的磷,以在所述导电材料上形成镍-磷镀层或镍-磷层。所述镍-磷镀层或镍-磷层的厚度为约50至约300nm。所述镍-磷镀层或镍-磷层大体是一致(均匀)的,在整个镀层表面上其表面厚度(粗糙度)在平均厚度的20%以内。

根据另一种方法,形成电路,其包括形成基底,形成介电聚合物层以及形成籽晶层,其中所述介电聚合物层位于所述基底和所述籽晶层之间。将导电材料放置在所述籽晶层的第一部分上。所述导电材料是铜或铜合金。使所述导电材料与水浴溶液接触或在所述水浴溶液中接触。在所述导电材料的顶部上进行化学镀。所述化学镀包括水浴溶液(使用水浴溶液形成化学镀层),所述水浴溶液基本上由至少一种溶剂、镍源、磷源、还原剂、pH控制材料、稳定剂和络合剂组成。在一些实施例中,所述还原剂是次磷酸钠或次磷酸。所述pH控制材料是氢氧化钠或氢氧化钾。所述络合剂是琥珀酸、马来酸、乳酸、葡萄糖酸或克雷布斯循环酸。所述镀层包含约88至约92重量百分比(wt.%)的镍和约8至约12重量百分比(wt.%)的磷,以在所述导电材料上形成镍-磷镀层。所述镍-磷镀层的厚度为约100至约300nm。所述镍-磷镀层大体是一致的,在整个镀层表面上其表面厚度在平均厚度的20%以内。

根据另一种方法,提供了一种导电材料。提供了一种水浴溶液,所述水浴溶液基本上由至少一种溶剂、镍源、磷源、还原剂、pH控制材料、稳定剂和络合剂组成。使所述导电材料与所述水浴溶液接触或处于所述水浴溶液中。在所述导电材料的顶部上进行化学镀。所述镀层包含约88至93重量百分比(wt.%)的镍和至少7至约12重量百分比(wt.%)的磷,以在所述导电材料上形成镍-磷镀层。所述镍-磷镀层的厚度为约50至约300nm。所述镍-磷镀层大体是一致的,在整个镀层表面上其表面厚度在平均厚度的20%以内。

附图说明

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈钦森技术股份有限公司,未经哈钦森技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980051765.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top