[发明专利]导电性薄膜、以及使用了其的导电性薄膜卷、电子纸有效

专利信息
申请号: 201980051144.0 申请日: 2019-07-30
公开(公告)号: CN112514004B 公开(公告)日: 2022-11-08
发明(设计)人: 上城武司;飞田空;杉本哲郎;伴野裕 申请(专利权)人: 旭化成株式会社
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;B32B3/24;B32B15/08;G06F3/041;G06F3/044
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 导电性 薄膜 以及 使用 电子
【权利要求书】:

1.一种导电性薄膜,其具有透明基材、以及在所述透明基材的单面或两面配置的包含金属细线图案的导电部,其特征在于,

所述金属细线图案由金属细线构成,所述金属细线具有空隙,且在与所述金属细线的延伸方向正交的所述金属细线的截面中,将金属细线截面积记作SM,将所述金属细线的截面所包含的总空隙截面积记作SVtotal时,SVtotal/SM为0.15以上且0.37以下,

在与所述金属细线的延伸方向正交的所述金属细线的截面中,将金属细线的最大厚度记作T,将距离所述透明基材侧的金属细线界面为0.90T的高度处的金属细线的宽度记作W0.90,将金属细线界面处的所述金属细线的宽度记作W0时,W0.90/W0为0.40以上且0.90以下,

在与所述金属细线的延伸方向正交的所述金属细线的截面中,将所述金属细线的最大厚度记作T时,将自所述透明基材侧的金属细线界面起至0.2T为止的厚度区域内的空隙截面积记作SV0.2,将自所述透明基材侧的金属细线界面起至0.8T为止的厚度区域内的空隙截面积记作SV0.8时,(SV0.2+SV0.8)/SVtotal为1.23以上且1.60以下。

2.根据权利要求1所述的导电性薄膜,其中,(1+W0.90/W0)·(1-SVtotal/SM)为0.84以上且1.71以下。

3.根据权利要求1或2所述的导电性薄膜,其中,所述金属细线在所述透明基材侧的所述金属细线的界面具有所述空隙。

4.根据权利要求1或2所述的导电性薄膜,其中,将所述金属细线的最大厚度记作T时,将自所述透明基材侧的金属细线界面起至0.2T为止的厚度区域内的空隙截面积记作SV0.2时,SV0.2/SVtotal为0.15以上且0.60以下。

5.根据权利要求1或2所述的导电性薄膜,其中,将所述金属细线的最大厚度记作T时,将自所述透明基材侧的金属细线界面起至0.8T为止的厚度区域内的空隙截面积记作SV0.8时,SV0.8/SVtotal为0.80以上且1.00以下。

6.根据权利要求1或2所述的导电性薄膜,其中,将距离所述透明基材侧的金属细线界面为0.50T的厚度处的金属细线的宽度记作W0.50时,

W0.50/W0为0.70以上且小于1.00。

7.根据权利要求6所述的导电性薄膜,其中,W0.90/W0.50为0.50以上且0.95以下。

8.根据权利要求6所述的导电性薄膜,其中,W0.50/W0大于W0.90/W0.50

9.根据权利要求1或2所述的导电性薄膜,其中,所述金属细线的线宽为0.1μm以上且5.0μm以下。

10.根据权利要求1或2所述的导电性薄膜,其中,所述金属细线的纵横比为0.05以上且1.00以下。

11.根据权利要求1或2所述的导电性薄膜,其中,所述导电性薄膜的薄层电阻为0.1Ω/sq以上且1,000Ω/sq以下。

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