[发明专利]用于检查和/或处理样品的设备和方法

说明书

本发明涉及用于检查和/或处理样品(400、2010)的设备(2400、2600)，所述设备包括：(a)用于提供带电粒子束(840)的扫描粒子显微镜(2410)，该带电粒子束可以被指引在样品(400，2010)的表面上；(b)具有可偏转探针(200、500、800、900、1000、1100、1200、1300、1500、1600、1640、1670、2600)的扫描探针显微镜(2470)；(c)其中，检测结构(230、530、1030、1130、133、30、1630、1690、2630)附接到可偏转探针(200、500、800、900、1000、100、1200、1300、1500、1600、1640、1670、2600)。

本专利申请要求于2018年6月21日提交的，题为“Vorrichtung und Verfahrenzum Untersuchen und/oder zum Bearbeiten einer Probe”的德国专利申请DE 10 2018210 098.5的权益，该专利被转让给其受让人，并且通过引用将其整体明确地并入本文。

1.技术领域

本发明涉及一种用于检查和/或处理样品的设备和方法。特别地，本发明涉及用于移动样品的粒子的设备和方法。

2.背景技术

由于在半导体产业中的集成密度越来越高，光刻掩模不得不在晶片上成像越来越小的结构。在光刻方面，通过将光刻系统的曝光波长移至甚至更短的波长，可以解决集成密度增长的趋势。当前在光刻系统或光刻技术系统中频繁地用作光源的是发射近似193nm波长的ArF(氟化氩)准分子激光器。

来自周围环境的粒子可能沉积在光刻掩模、光掩模或简单掩模上，并且损害所述掩模的成像功能。作为标准，在掩模制造期间以及在掩模的操作期间，通过清洁步骤从掩模的表面上移除粒子。通常，粒子可能出现在样品上，并且对样品的功能具有负面影响。

光刻掩模的减小的结构尺寸增加清洁过程的难度。此外，由于减小的曝光波长，在晶片上的曝光过程期间，在掩模的表面上吸附的甚至较小的异物或污物粒子也变得可见。