[发明专利]摄像装置和电子设备

权利要求书

1.一种摄像装置，其包括：

半导体层，具有前表面和后表面，所述后表面位于所述前表面的相反侧；

光电转换器，被埋设在所述半导体层中，并且通过光电转换产生与所接收的光量相对应的电荷；和

传输部，包括第一沟槽栅极和第二沟槽栅极，并且所述传输部经由所述第一沟槽栅极和所述第二沟槽栅极将所述电荷从所述光电转换器传输至相同的传输目的地，所述第一沟槽栅极和所述第二沟槽栅极分别从所述半导体层的所述前表面向着所述后表面延伸至所述光电转换器，其中，

所述第一沟槽栅极具有从所述前表面至所述光电转换器的第一长度，并且

所述第二沟槽栅极具有从所述前表面至所述光电转换器的第二长度，所述第二长度比所述第一长度短。

2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述传输目的地是电荷-电压转换器。

3.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述传输目的地是电荷保持部。

4.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述传输目的地是电源。

5.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述传输目的地位于所述第一沟槽栅极与所述第二沟槽栅极之间。

6.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，在平行于所述前表面的平面中，所述第二沟槽栅极与所述传输目的地之间的距离比所述第一沟槽栅极与所述传输目的地之间的距离短。

7.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述传输部包括彼此独立地被驱动的第一晶体管和第二晶体管。

8.根据权利要求7所述的摄像装置，其中，

所述第一晶体管包括所述第一沟槽栅极，并且

所述第二晶体管包括所述第二沟槽栅极。

9.根据权利要求7所述的摄像装置，其中，

所述第一晶体管包括所述第一沟槽栅极和所述第二沟槽栅极，并且

所述第二晶体管位于所述第一晶体管与所述传输目的地之间。

10.根据权利要求7所述的摄像装置，还包括：

控制器，所述控制器将处于导通状态的所述第一晶体管变为关断状态，然后将处于导通状态的所述第二晶体管变为关断状态。

11.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，

所述传输部包括一个晶体管，

所述一个晶体管包括所述第一沟槽栅极、所述第二沟槽栅极和第三沟槽栅极，并且，

在平行于所述前表面的平面中，所述第二沟槽栅极与所述传输目的地之间的第二距离比所述第一沟槽栅极与所述传输目的地之间的第一距离短，并且所述第三沟槽栅极与所述传输目的地之间的第三距离比所述第一距离短。

12.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，

所述传输部包括一个晶体管，

所述一个晶体管包括所述第一沟槽栅极、所述第二沟槽栅极和第三沟槽栅极，并且，

在平行于所述前表面的平面中，所述第二沟槽栅极与所述传输目的地之间的第二距离比所述第一沟槽栅极与所述传输目的地之间的第一距离短，并且所述第三沟槽栅极与所述传输目的地之间的第三距离比所述第二距离长。

13.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述第一沟槽栅极的最大直径大于所述第二沟槽栅极的最大直径。

14.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述第一沟槽栅极的直径和所述第一沟槽栅极的直径分别具有从所述前表面朝向所述后表面变窄的部分。

15.一种电子设备，其包括摄像装置，所述摄像装置包括：

半导体层，具有前表面和后表面，所述后表面位于所述前表面的相反侧；

光电转换器，被埋设在所述半导体层中，并且通过光电转换产生与所接收的光量相对应的电荷；和

传输部，包括第一沟槽栅极和第二沟槽栅极，并且所述传输部经由所述第一沟槽栅极和所述第二沟槽栅极将电荷从所述光电转换器传输至相同的传输目的地，所述第一沟槽栅极和所述第二沟槽栅极分别从所述半导体层的所述前表面向着所述后表面延伸至所述光电转换器，其中，

所述第一沟槽栅极具有从所述前表面至所述光电转换器的第一长度，并且

所述第二沟槽栅极具有从所述前表面至所述光电转换器的第二长度，所述第二长度比所述第一长度短。