[发明专利]聚合物主链中包含杂原子的抗蚀剂下层膜形成用组合物

说明书

本发明提供具有特别高的干蚀刻速度的抗蚀剂下层膜、该抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂图案形成方法以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：环氧加成物形成用化合物与下述式(1)所示的化合物的环氧加成生成物；以及溶剂，[在式(1)中，A¹表示至少1个氢原子可以被卤原子取代、并且被氧原子、硫原子、二硫基、磺酰基、羰基或亚氨基中断的碳原子数2～10的直链或支链亚烷基]。

技术领域

本发明涉及环氧加成物形成用化合物与具有环氧基的特定结构的化合物的反应生成物、包含该反应生成物的抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂下层膜、经图案形成的基板的制造方法以及半导体装置的制造方法。

背景技术

在专利文献1中公开了包含作为包含2个环氧基的至少1种化合物(二环氧化合物)与包含二硫键的至少1种二羧酸的反应生成物的聚合物的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物形成相对于抗蚀剂膜的干蚀刻速度的选择比大，ArF准分子激光那样的短波长下的k值低，并且n值显示高值，抗蚀剂图案形成为所希望的形状的抗蚀剂下层膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：WO2009/096340A1

发明内容

发明所要解决的课题

然而，以往制品的蚀刻选择性仍然难以说充分高。因此，本发明所要解决的课题是提供可获得与以往制品相比蚀刻选择性进一步高的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，本发明所要解决的课题是提供可以缩短干蚀刻时间，并可以抑制对基底基板不期望的蚀刻损伤的抗蚀剂下层膜。

用于解决课题的手段

本发明包含以下方案。

＜1＞一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：环氧加成物形成用化合物与下述式(1)所示的化合物的环氧加成生成物；以及溶剂。

[在式(1)中，A¹表示至少1个氢原子可以被卤原子取代、并且被氧原子、硫原子、二硫基、磺酰基、羰基或亚氨基中断的碳原子数2～10的直链或支链亚烷基]

＜2＞根据＜1＞所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，上述环氧加成物形成用化合物为选自含有羧酸的化合物、含有羧酸酐的化合物、含有羟基的化合物、含有硫醇基的化合物、含有氨基的化合物和含有酰亚胺基的化合物中的至少1种化合物。

＜3＞根据＜1＞或＜2＞所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，上述环氧加成物形成用化合物为含有羧酸的化合物或含有硫醇基的化合物。

＜4＞根据＜2＞或＜3＞所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，上述含有羧酸的化合物为包含至少1个硫原子的二羧酸。

＜5＞根据＜4＞所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，上述包含至少1个硫原子的二羧酸为包含至少1个硫原子的脂肪族二羧酸。

＜6＞根据＜1＞～＜5＞中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含交联催化剂。

＜7＞根据＜1＞～＜6＞中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含交联剂。

＜8＞根据＜1＞～＜7＞中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含表面活性剂。

＜9＞一种抗蚀剂下层膜，其特征在于，是由＜1＞～＜8＞中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物形成的涂布膜的烧成物。