[发明专利]聚合物主链中包含杂原子的抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：环氧加成物形成用化合物与下述式(1)所示的化合物的环氧加成生成物；以及溶剂，

在式(1)中，A¹表示至少1个氢原子可以被卤原子取代、并且被氧原子、硫原子、二硫基、磺酰基、羰基或亚氨基中断的碳原子数2～10的直链或支链亚烷基。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述环氧加成物形成用化合物为选自含有羧酸的化合物、含有羧酸酐的化合物、含有羟基的化合物、含有硫醇基的化合物、含有氨基的化合物和含有酰亚胺基的化合物中的至少1种化合物。

3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述环氧加成物形成用化合物为含有羧酸的化合物或含有硫醇基的化合物。

4.根据权利要求2或3所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述含有羧酸的化合物为包含至少1个硫原子的二羧酸。

5.根据权利要求4所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述包含至少1个硫原子的二羧酸为包含至少1个硫原子的脂肪族二羧酸。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含交联催化剂。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含交联剂。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含表面活性剂。

9.一种抗蚀剂下层膜，其特征在于，是由权利要求1～8中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物形成的涂布膜的烧成物。

10.一种经图案形成的基板的制造方法，其包含下述工序：在半导体基板上涂布权利要求1～8中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物并进行烘烤而形成抗蚀剂下层膜的工序；在所述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂并进行烘烤而形成抗蚀剂膜的工序；将经所述抗蚀剂下层膜和所述抗蚀剂被覆的半导体基板曝光的工序；将曝光后的所述抗蚀剂膜显影而进行图案形成的工序。

11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含下述工序：

在半导体基板上形成由权利要求1～8中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物形成的抗蚀剂下层膜的工序；

在所述抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂膜的工序；

通过对抗蚀剂膜的光或电子射线的照射和之后的显影而形成抗蚀剂图案的工序；

通过经由所形成的所述抗蚀剂图案对所述抗蚀剂下层膜进行蚀刻而形成经图案化的抗蚀剂下层膜的工序；以及

利用经图案化的所述抗蚀剂下层膜对半导体基板进行加工的工序。

12.下述式(1)所示的化合物，

在式(1)中，A¹表示至少1个氢原子可以被卤原子取代、并且被硫原子、二硫基、磺酰基、羰基或亚氨基中断的碳原子数2～10的直链或支链亚烷基。

13.下述式(1)所示的化合物与环氧加成物形成用化合物的反应生成物，所述环氧加成物形成用化合物为选自含有羧酸的化合物、含有羧酸酐的化合物、含有羟基的化合物、含有硫醇基的化合物、含有氨基的化合物和含有酰亚胺基的化合物中的至少一种，

在式(1)中，A¹表示至少1个氢原子可以被卤原子取代、并且被硫原子、二硫基、磺酰基、羰基或亚氨基中断的碳原子数2～10的直链或支链亚烷基。