[发明专利]用于测量CVD反应器中的基座的表面温度的装置

说明书

本发明涉及一种在CVD反应器中使用的盖板(4、5)，其中，所述盖板具有在圆弧线上延伸的周向边缘，或者其中，多个相同地设计的盖板(4、5)能够以圆形布置，从而所述盖板的沿着圆弧延伸的外边缘相互补充成完整的圆。用于衬底(10)或者承载衬底(10)的衬底固持装置的安置位置位于盖板的面内。按照本发明，盖板具有朝向其两个相互背离地指向的宽侧敞开的开口(15)，通过所述开口能够看到基座(2)的上侧(3)，从而通过开口(15)能够进行光学的温度测量。

技术领域

本发明涉及一种装置，所述装置用于将尤其是包含第III和第V主族的元素的层沉积在由基座的朝向处理室的一侧承载的、布置在盖板之间的自由空间中的衬底上，其中，设置有用于光学地测量基座的温度的器件。

此外，本发明涉及一种由基座和多个盖板构成的基座组件，以及一种用于装置或者基座组件中的盖板。

背景技术

前述类型的装置在现有技术中作为CVD反应器、尤其是MOCVD反应器已知，其用于尤其是在使用有机金属的气态原料的情况下进行化学气相沉积，以便在MOCVD反应器的处理室中沉积III-V半导体层。沉积在衬底上的层或者层序列的组成以及沉积的层的结晶性质或者电学性质在很大程度上取决于处理室内或者衬底的表面上的温度。

衬底位于衬底固持装置上，所述衬底固持装置又由基座承载。衬底固持装置能够围绕其自身的轴线旋转驱动。圆形的基座也能够围绕其图形轴线(Figurenachse)旋转驱动。借助通常布置在基座下方的加热装置将基座或者处理室加热至处理温度，而衬底则布置在基座上方。使用温度调控装置控制加热功率，所述温度调控装置在基座的下侧测量基座的温度。所述测量例如通过光导体和高温计光学地进行。

此外已知，例如借助布置在处理室顶盖上方的高温计光学地测量衬底温度，所述高温计具有穿过处理室顶盖的开口的光路。

使用用于测量衬底表面温度的高温计，只有存在足够的信号时，才能够调控衬底的温度，而尤其当衬底或者沉积在衬底上的层对于高温计所使用的波长是透明的时，则不存在足够的信号。由于穿过基座从朝向加热装置的背侧流向承载衬底的上侧的热流而在基座上侧和基座下侧之间存在温度差。该温度差取决于基座上侧或者布置在基座上的盖板的热辐射特性。

以下专利文献属于现有技术:US 2004/0 175 939 Al、US 2006/0 269390 Al、JP2016-035 080 A、US 2006/0 102 081 Al、US 2009/0 308 319 Al、US 2011/0 143 016Al、DE 10 2009 010 555 Al、DE 10 2014 117388 Al和DE 11 2016 003 443 T5.

由专利文献US 2004/0175939 A1已知一种具有边缘侧的开口的盖板。专利文献EP20060269390 A1描述了类似的盖板。专利文献JP 2016-35080 A描述了一种具有朝向周向边缘敞开的缝隙的盖板。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种措施，通过所述措施能够尤其是在衬底附近精确地调控基座的温度。

所述技术问题通过在权利要求中给出的发明解决。从属权利要求不仅体现了并列的权利要求中所要求保护的技术方案的有利的扩展设计，而且也体现了所述技术问题的独立的解决方案。