[发明专利]微电子组件在审
| 申请号: | 201980045263.5 | 申请日: | 2019-07-03 | 
| 公开(公告)号: | CN112385035A | 公开(公告)日: | 2021-02-19 | 
| 发明(设计)人: | B·哈巴 | 申请(专利权)人: | 伊文萨思粘合技术公司 | 
| 主分类号: | H01L23/525 | 分类号: | H01L23/525;H01L23/498;H01L23/48;H01L23/34;H01L23/31;H01L23/00 | 
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅;杨飞 | 
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微电子 组件 | ||
1.一种形成微电子组件的方法,包括:
使用直接键合技术,在无需介入粘合剂的情况下,将至少一个微电子衬底的第一表面键合到载体的表面,所述微电子衬底在所述微电子衬底的至少一个表面上具有多个导电互连;
将模制材料施加到所述载体的所述表面的包围所述微电子衬底的区域上,以形成重构衬底;
对所述微电子衬底进行处理;以及
在所述载体的所述表面的所述区域处并且在所述模制材料处,对所述重构衬底进行单片化,以形成所述微电子组件。
2.根据权利要求1所述的形成微电子组件的方法,还包括:对所述微电子衬底的所述第一表面和/或对所述载体的所述表面进行平坦化,以为所述直接键合技术做准备。
3.根据权利要求1所述的形成微电子组件的方法,其中将所述微电子衬底键合到所述载体的所述表面包括:使所述多个导电互连背离所述载体的所述表面。
4.根据权利要求1所述的形成微电子组件的方法,其中将所述微电子衬底键合到所述载体的所述表面包括:使所述多个导电互连面向所述载体的所述表面。
5.根据权利要求4所述的形成微电子组件的方法,还包括:移除所述模制材料的覆盖所述至少一个微电子衬底的部分和/或减薄所述至少一个微电子衬底,以露出所述至少一个微电子衬底的暴露表面。
6.根据权利要求1所述的形成微电子组件的方法,还包括:将所述模制材料施加到所述微电子衬底的与所述第一表面相对的第二表面的至少一部分。
7.根据权利要求1所述的形成微电子组件的方法,还包括:在所述模制材料中形成一个或多个空腔、并且使用导电材料填充所述一个或多个空腔,以形成一个或多个导电过孔。
8.根据权利要求1所述的形成微电子组件的方法,还包括:在无需粘合剂的情况下,通过使用所述直接键合技术,防止所述微电子衬底在所述处理期间相对于所述载体的所述表面偏移位置。
9.根据权利要求1所述的形成微电子组件的方法,还包括:形成重分布层(RDL),所述重分布层被耦合到多个暴露的所述导电互连。
10.根据权利要求8所述的形成微电子组件的方法,还包括至少第一微电子衬底和第二微电子衬底,并且其中所述重分布层将所述第一微电子衬底和所述第二微电子衬底电互连。
11.根据权利要求1所述的形成微电子组件的方法,其中所述载体包括牺牲载体,并且还包括:在对所述微电子衬底进行处理之后,减薄所述微电子衬底或从所述微电子衬底移除所述载体。
12.根据权利要求11所述的形成微电子组件的方法,还包括:将布线层添加到暴露的表面,所述暴露的表面通过减薄所述微电子衬底或从所述微电子衬底移除所述载体而被露出。
13.根据权利要求1所述的形成微电子组件的方法,还包括:在所述单片化之后,允许所述载体的至少一部分保持被键合到所述微电子衬底,所述载体的所述至少一部分包括散热器、柄部、或结构支撑件。
14.根据权利要求1所述的形成微电子组件的方法,其中所述微电子衬底上的所述多个导电互连中的相邻互连之间的间隔小于5微米。
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