[发明专利]基于CVD的金刚石合成方法及装置在审
| 申请号： | 201980044830.5 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112384640A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 霍拉西奥·泰勒兹奥利瓦 | 申请（专利权）人： | 迪亚罗科技 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C23C16/517;H01J37/32 |
| 代理公司： | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人： | 梁焱 |
| 地址： | 比利时弗*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 cvd 金刚石 合成 方法 装置 | ||
1.一种在化学气相沉积腔室内合成衬底上两个等离子体发生电极之间合成材料的方法，该方法包括：
-将含有待合成材料原子的载气引入所述腔室，并且
-在衬底附近产生等离子体以激活含有待合成材料原子的载气的原子，
一种方法，其特征在于，压缩所述等离子体以提高所述衬底附近反应性碳原子的体积密度，从而提高待合成材料的沉积速度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：通过在两个所述电极之间施加直流电(DC)和射频(RF)交流电来产生所述等离子体。
3.一种在化学气相沉积腔室内合成衬底上两个等离子体发生电极之间合成材料的方法，该方法包括：
-将含有待合成材料原子的载气引入所述腔室，并且
-在衬底附近产生等离子体以激活含有待合成材料原子的载气的原子，
一种方法，其特征在于，通过在两个所述电极之间施加直流电(DC)和射频(RF)交流电来产生等离子体。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于：
-在所述衬底附近施加磁场。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于：所述待合成材料为金刚石，含有待合成材料原子的载气为含有碳原子的载气，以及
-在所述衬底附近产生等离子体(28)以生成反应性碳原子。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：在合成过程中可以调整DC/RF比率。
7.为实施权利要求1所述的方法，还涉及一种化学气相沉积腔室(1)，其具有气体入口(2)和气体出口(3)，并且在所述化学气相沉积腔室中放置有两个等离子体(28)发生电极(4，5)，两个所述电极与直流(DC)源(6)相连，其特征在于：在两个所述电极(4，5)之间设置有压缩所述等离子体的装置(20)。
8.根据权利要求7所述的腔室，其特征在于：所述腔室内的两个电极(4，5)还连接到射频(RF)交流电源(46)。
9.根据权利要求7或8所述的腔室，其特征在于：所述腔室内的两个电极为一个阳极(4)和一个阴极(5)，所述阴极形成用于金刚石(45)沉积的衬底(5)。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的腔室，其特征在于：包括用于在所述衬底(5)附近产生磁场的装置(50)。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
