[发明专利]打线接合装置在审
申请号: | 201980044546.8 | 申请日: | 2019-07-11 |
公开(公告)号: | CN112385026A | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 青柳伸幸;雨宫茂 | 申请(专利权)人: | 株式会社新川 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 日本东京武藏村*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 装置 | ||
本发明包括:超声波焊头(14),输入有两个超声波振动且能够以不同的频率在Y方向及X方向上对安装于前端的焊针(15)进行加振;以及控制部(50),调整两个超声波振动的各振动的大小,Y方向是超声波焊头(14)的延伸方向,控制部(50)通过调整两个超声波振动的各振动的大小来调整焊针(15)的Y方向与X方向上的振幅的比率(ΔY/ΔX)。由此,抑制打线与引线的接合品质的下降。
技术领域
本发明涉及一种打线接合装置的构造。
背景技术
通过打线将半导体裸片(die)的电极与引线框架(lead frame)的引线之间加以连接的打线接合装置被广泛使用。打线接合装置是在通过焊针(capillary)将打线压在电极上的状态下,使焊针超声波振动,而将打线与电极加以接合后,将打线架设于引线,在将经架设的打线压在引线上的状态下,使焊针超声波振动,而将打线与引线加以连接的装置(例如参照专利文献1)。
在专利文献1中记载的打线接合装置中,焊针的超声波振动的方向是超声波焊头的延伸方向(Y方向)。另一方面,引线呈放射状地配置于半导体裸片的周围,因此有时引线的延伸方向与焊针的超声波振动的方向不一致。在此情况下,架设于电极与引线之间的打线因将打线连接于引线时的超声波振动而产生共振,从而存在半导体裸片的电极与打线的接合部剥落的问题。因此,在专利文献1中,提出了如下的方法:通过使半导体裸片的载置台旋转,或利用两个超声波焊头使一个焊针在XY方向上振动,使从电极朝向引线的打线的延伸方向与超声波振动的方向一致。
另外,近年来,提出了一种进行XY混合加振的接合装置,所述XY混合加振使焊针的超声波振动的方向不仅在Y方向上而且在与Y方向正交的X方向上也同时振动(例如参照专利文献2、专利文献3)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2008-60210号公报
专利文献2:国际申请公开2017/094558号手册
专利文献3:日本专利第6180736号公报
发明内容
发明所要解决的问题
此外,近年来,由于集成电路(Integrated Circuit,IC)小型化的要求,引线的宽度有变窄的倾向。在此种宽度窄的引线中,当引线的延伸方向与焊针超声波振动的方向不同时,引线会因由超声波振动施加至引线的宽度方向上的力而变形,从而有时打线与引线的接合品质会下降。在此情况下,在如专利文献1所记载那样的使半导体裸片的载置台旋转,或利用两个超声波焊头使一个焊针在XY方向上振动的方法中,存在结构变得复杂,同时接合的节拍时间(takt time)变长的问题。另外,在专利文献2、专利文献3所记载的接合装置中,虽然进行了XY混合加振,但没有对引线的延伸方向与超声波振动的方向的关系进行研究,从而存在由超声波加振而产生引线的变形,而导致接合品质下降的问题。
因此,本发明的目的在于通过简单的结构来抑制打线与电极的接合品质的下降。
解决问题的技术手段
本发明的打线接合装置的特征在于包括:超声波焊头,输入有两个超声波振动且能够以不同的频率在Y方向及与Y方向正交的X方向上对安装于前端的接合工具进行加振;以及控制部,调整两个超声波振动的各振动的大小,Y方向是超声波焊头的延伸方向,控制部通过调整两个超声波振动的各振动的大小来调整接合工具的Y方向与X方向上的振幅的比率。
由此,能够以简单的结构减小施加至电极的宽度方向上的振动能量,而抑制打线与电极的接合品质的下降。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社新川,未经株式会社新川许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980044546.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:包括内部增压器的流体罐
- 下一篇:用于B0映射的MRI方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造