[发明专利]打线接合装置在审
申请号: | 201980044546.8 | 申请日: | 2019-07-11 |
公开(公告)号: | CN112385026A | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 青柳伸幸;雨宫茂 | 申请(专利权)人: | 株式会社新川 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 日本东京武藏村*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 装置 | ||
1.一种打线接合装置,其特征在于包括:
超声波焊头,输入有两个超声波振动且能够以不同的频率在Y方向及与Y方向正交的X方向上对安装于前端的接合工具进行加振;以及
控制部,调整两个所述超声波振动的各振动的大小,
Y方向是所述超声波焊头的延伸方向,所述控制部通过调整两个所述超声波振动的各振动的大小来调整所述接合工具的Y方向与X方向上的振幅的比率。
2.根据权利要求1所述的打线接合装置,其特征在于,
所述接合工具将打线连接于相对于Y方向倾斜地配置的带状的电极,
且包括对所述电极的图像进行拍摄的摄像装置,
所述控制部对由所述摄像装置拍摄的所述电极的图像进行处理并计算所述电极的延伸方向相对于Y方向的角度,
且根据所计算出的所述角度来调整两个所述超声波振动的各振动的大小。
3.根据权利要求2所述的打线接合装置,其特征在于,
所述控制部调整所述各振动的大小,以使所计算出的所述角度越大,所述接合工具的Y方向上的振幅相对于X方向上的振幅的比率越小。
4.根据权利要求2所述的打线接合装置,其特征在于,
所述控制部调整所述各振动的大小,以使所述接合工具的Y方向与X方向上的振幅的比率成为所述电极的延伸方向的Y方向与X方向的比率。
5.根据权利要求3所述的打线接合装置,其特征在于,
所述控制部调整所述各振动的大小,以使所述接合工具的Y方向与X方向上的振幅的比率成为所述电极的延伸方向的Y方向与X方向的比率。
6.根据权利要求3所述的打线接合装置,其特征在于,
所述控制部对由所述摄像装置所拍摄的所述电极的图像进行处理并计算所述电极的与延伸方向成直角的方向上的所述电极的宽度,
且调整两个所述超声波振动的各振动的大小,以使所述接合工具的所述电极的与延伸方向成直角的方向上的振幅不超过所计算的所述电极的所述宽度。
7.根据权利要求4所述的打线接合装置,其特征在于,
所述控制部对由所述摄像装置所拍摄的所述电极的图像进行处理并计算所述电极的与延伸方向成直角的方向上的所述电极的宽度,
且调整两个所述超声波振动的各振动的大小,以使所述接合工具的所述电极的与延伸方向成直角的方向上的振幅不超过所计算的所述电极的所述宽度。
8.根据权利要求5所述的打线接合装置,其特征在于,
所述控制部对由所述摄像装置所拍摄的所述电极的图像进行处理并计算所述电极的与延伸方向成直角的方向上的所述电极的宽度,
且调整两个所述超声波振动的各振动的大小,以使所述接合工具的所述电极的与延伸方向成直角的方向上的振幅不超过所计算的所述电极的所述宽度。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的打线接合装置,其特征在于,
所述超声波焊头包括:振动放大部,连接有能够以两个不同的频率在Y方向上振动的超声波振动器,将从所述超声波振动器输入的Y方向上的所述超声波振动放大并传递至所述前端;以及振动转换部,将Y方向上的所述超声波振动转换为所述超声波焊头的扭转振动,
所述控制部调整所述超声波振动器的各振动的大小。
10.根据权利要求9所述的打线接合装置,其特征在于,
所述振动放大部在俯视下为多边形形状,所述振动转换部是相对于Y方向倾斜地配置的狭缝。
11.根据权利要求1至8中任一项所述的打线接合装置,其特征在于,
所述超声波焊头连接有第一超声波振动器及第二超声波振动器,所述第一超声波振动器使所述超声波焊头在Y方向上振动,所述第二超声波振动器使所述超声波焊头扭转振动,
所述控制部调整所述第一超声波振动器的振动的大小及所述第二超声波振动器的振动的大小。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社新川,未经株式会社新川许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980044546.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:包括内部增压器的流体罐
- 下一篇:用于B0映射的MRI方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造