[发明专利]用于处理晶片的方法和装置

说明书

提供了一种用于提供等离子体处理的装置。提供等离子体处理室。具有入口的第一涡轮泵流体连接该等离子体处理室和排气部。气体源提供气体至该等离子体处理室。至少一根气体管线流体连接在该气体源与该等离子体处理室之间。至少一根排放管线与该至少一根气体管线流体连接。至少一个气体管线阀在该至少一根气体管线上并且定位在该至少一根排放管线与该至少一根气体管线连接的位置与该等离子体处理室之间。至少一个旁通阀位于该至少一根排放管线上。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年6月29日申请的美国临时申请No.62/691,922的优先权，其通过引用并入本文以用于所有目的。

技术领域

本公开内容涉及在半导体晶片上形成半导体设备的方法。更具体而言，本公开内容涉及在处理晶片的同时维持晶片间的均匀性。

背景技术

在半导体设备的形成中，可相对于有机图案化掩模而选择性地对蚀刻层进行蚀刻，以形成凹陷的特征部存储器孔洞或线。残余物被沉积于等离子体处理室中。可在每个衬底/晶片的处理之间将残余物去除。

发明内容

为了实现上述内容且根据本公开内容的目的，提供了一种用于提供等离子体蚀刻的装置。提供等离子体处理室，例如蚀刻室。具有入口的第一涡轮泵流体连接该等离子体处理室和排气部。气体源提供气体至该等离子体处理室。至少一根气体管线流体连接在该气体源与该等离子体处理室之间。至少一根排放管线与该至少一根气体管线流体连接。至少一个气体管线阀在该至少一根气体管线上并且定位在该至少一根排放管线与该至少一根气体管线连接的位置和该等离子体处理室之间。至少一个旁通阀位于该至少一根排放管线上。

在另一表现形式中，提供一种用于等离子体处理系统中的晶片的处理方法，该等离子体处理系统包含等离子体处理室及至少一根气体管线，该方法包含多个循环。每一循环包括：将晶片放置于该等离子体处理室中；对该晶片进行处理；自该等离子体处理室中移除该晶片；利用无晶片清洁以对该蚀刻室的内部进行清洁；以及以惰性气体对该至少一气体管线进行清扫，该惰性气体包含氮(N₂)、氦(He)和氩(Ar)中的至少一者。

本公开的这些特征和其它特征将在下面在详细描述中并结合以下附图进行更详细的描述。

附图说明

在附图中以示例而非限制的方式示出了本公开内容，并且附图中类似的附图标记表示相似的元件，其中：

图1是可以在一实施方案中使用的蚀刻室的示意图。

图2是可以用于实施实施方案的计算机系统的示意图。

图3是一实施方案的高阶流程图。

图4为另一实施方案的示意图。

图5为另一实施方案的示意图。。

具体实施方式

现在将参考附图中所示的几个优选实施方案来详细描述本公开内容。在下面的描述中，阐述了许多具体细节以便提供对本公开内容的彻底理解。然而，对于本领域技术人员显而易见的是，本公开内容可以在没有这些具体细节中的一些或全部的情况下实施。在其他情况下，未详细描述公知的工艺步骤和/或结构，以免不必要地使本公开内容不清楚。

图1为可用于一实施方案中的等离子体处理室的示意图。在一或更多实施方案中，等离子体处理室100包含提供气体入口的气体分配板106和静电卡盘(ESC)108，其位于蚀刻室149内、由室壁152包围。在蚀刻室149内，晶片103被定位于ESC108上方。边缘环109围绕ESC108。ESC源148可提供偏压至ESC108。气体源110经由气体管线114和气体分配板106而连接至蚀刻室149。气体管线114具有气体管线阀116。