[发明专利]用于处理晶片的方法和装置

权利要求书

1.一种用于对衬底提供等离子体处理的装置，其包含：

等离子体处理室；

第一涡轮泵，其具有入口和排气部，所述入口与所述等离子体处理室流体连接；

气体源，其用于提供气体至所述等离子体处理室；

至少一根气体管线，其被流体连接在所述气体源与所述等离子体处理室之间；

至少一根排放管线，其与所述至少一根气体管线流体连接；

至少一个气体管线阀，其在所述至少一根气体管线上并且定位在所述至少一根排放管线与所述至少一根气体管线连接的位置和所述等离子体处理室之间；以及

至少一个旁通阀，其位于所述至少一根排放管线上。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一根排放管线经由所述等离子体处理室而与所述第一涡轮泵流体连接。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述等离子体处理室包含等离子体区；其中来自所述至少一根气体管线的气体被供应至所述等离子体区；且其中来自所述至少一根排放管线的气体经由所述第一涡轮泵从所述等离子体处理室中排空，而不通过所述等离子体区。

4.根据权利要求3所述的装置，其还包含控制器，所述控制器可控地连接至所述至少一个气体管线阀和所述至少一个旁通阀以及所述气体源，其中所述控制器包含：

至少一处理器；以及

计算机可读介质，其包含用于提供多个循环的计算机代码，其中每一循环包含：

开启所述至少一个气体管线阀且关闭所述至少一个旁通阀；

将晶片传送至所述等离子体处理室中；

对所述等离子体处理室中的所述晶片上的蚀刻层进行蚀刻；

从所述等离子体处理室中移除所述晶片；

提供所述等离子体处理室的无晶片清洁；以及

经由所述至少一根排放管线对所述至少一根气体管线中的气体进行清扫。

5.根据权利要求4所述的装置，其中对所述至少一根气体管线中的气体进行清扫包含关闭所述至少一个气体管线阀且开启所述至少一个旁通阀，以使所述至少一根气体管线中的气体能够通过所述至少一根排放管线而排空。

6.根据权利要求5所述的装置，其还包含连接至所述等离子体处理室的晶片传送模块，其中在晶片经由所述晶片传送模块而传送至所述等离子体处理室时执行所述清扫。

7.根据权利要求4所述的装置，其中使用包含氮(N₂)、氦(He)和氩(Ar)中的至少一者的惰性气体来对所述至少一根气体管线中的气体进行清扫。

8.根据权利要求1所述的装置，其还包含：

干式泵，其具有与所述第一涡轮泵的所述排气部流体连接的入口，其中所述至少一根排放管线与所述干式泵流体连接；以及

至少一个抽出阀，其连接在所述至少一根排放管线与所述干式泵之间。

9.一种用于在等离子体处理系统中的晶片的处理方法，所述等离子体处理系统包含等离子体处理室和至少一根气体管线，所述方法包含多个循环，其中每一循环包含：

将晶片放置在所述等离子体处理室中；

对所述等离子体处理室中的所述晶片进行处理；

从所述等离子体处理室中移除所述晶片；

利用无晶片清洁以对所述等离子体处理室的内部进行清洁；以及

用惰性气体对所述至少一根气体管线进行清扫。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述惰性气体为氮(N₂)、氦(He)、及氢(Ar)的其中至少一者。