[发明专利]共聚物和正型抗蚀剂组合物

说明书

本发明提供一种能够作为耐热性优异、且能够形成分辨率和清晰度优异的抗蚀剂图案的主链切断型的正型抗蚀剂而良好地使用的共聚物。该共聚物具有下述式(I)所表示的单体单元(A)和下述式(II)所表示的单体单元(B)，该共聚物的分子量分布为1.7以下。另外，式中，L为单键或2价的连结基团，Ar为能够具有取代基的芳香环基，R¹为烷基，R²为烷基、卤素原子或卤代烷基，p为0以上且5以下的整数，在存在多个R²的情况下，它们彼此能够相同、也能够不同。

技术领域

本发明涉及共聚物和正型抗蚀剂组合物，特别涉及能够优选用作正型抗蚀剂的共聚物和包含该共聚物的正型抗蚀剂组合物。

背景技术

一直以来，在半导体制造等领域中，通过电子束等电离辐射、紫外线等短波长的光(以下有时将电离辐射和短波长的光统称为“电离辐射等”。)的照射，主链被切断而低分子量化的聚合物被用作主链切断型的正型抗蚀剂。

而且，例如在专利文献1中，作为耐干蚀刻性优异的正型抗蚀剂，公开了由α-氯丙烯酸-1-苯基-1-三氟甲基-2,2,2-三氟乙酯的均聚物(聚α-氯丙烯酸-1-苯基-1-三氟甲基-2,2,2-三氟乙酯)形成的正型抗蚀剂(例如参考专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开昭64-26611号公报。

发明内容

发明要解决的问题

然而，专利文献1记载的由聚α-氯丙烯酸-1-苯基-1-三氟甲基-2,2,2-三氟乙酯形成的正型抗蚀剂在耐热性低的方面存在问题。

此外，近年来，随着图案更加微细化的要求，也要求正型抗蚀剂能够形成分辨率和清晰度优异的抗蚀剂图案。

因此，本发明的目的在于提供一种能够作为耐热性优异、且能够形成分辨率和清晰度优异的抗蚀剂图案的主链切断型的正型抗蚀剂而良好地使用的共聚物和包含该共聚物的正型抗蚀剂组合物。

用于解决问题的方案

本发明人为了实现上述目的而进行了深入研究。然后，本发明人发现，使用含有芳香环的规定的单体形成的、具有规定的分子量分布(重均分子量/数均分子量)的共聚物的耐热性优异、并且能够形成分辨率和清晰度优异的抗蚀剂图案，从而完成了本发明。

即，本发明的目的在于有利地解决上述问题，本发明的共聚物的特征在于，具有下述式(I)所表示的单体单元(A)和下述式(II)所表示的单体单元(B)，上述共聚物的分子量分布为1.7以下。

[化学式1]

[式(I)中，L为单键或2价的连结基团，Ar为能够具有取代基的芳香环基。]

[化学式2]

[式(II)中，R¹为烷基，R²为烷基、卤素原子或卤代烷基，p为0以上且5以下的整数，在存在多个R²的情况下，它们彼此能够相同、也能够不同。]

上述具有单体单元(A)和单体单元(B)的共聚物的耐热性优异，能够作为主链切断型的正型抗蚀剂良好地使用。此外，如果具有单体单元(A)和单体单元(B)的共聚物的分子量分布在上述范围内，则能够形成分辨率和清晰度优异的抗蚀剂图案。

另外，在本发明中，“分子量分布”能够算出重均分子量与数均分子量的比(重均分子量/数均分子量)来求出。而且，在本发明中，“数均分子量”和“重均分子量”能够使用凝胶渗透色谱、作为标准聚苯乙烯换算值测定。