[发明专利]用以清洁基板的喷头以及其制造方法在审
申请号: | 201980041845.6 | 申请日: | 2019-06-20 |
公开(公告)号: | CN112335027A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 金范镇;金贤信 | 申请(专利权)人: | HS高科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 隆翔鹰 |
地址: | 韩国京畿道*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用以 清洁 喷头 及其 制造 方法 | ||
1.一种用以清洁基板的喷头,其特征在于包括:
上部流路部,与主孔连通;以及
下部流路部,使所述上部流路部与喷出孔连通,且
所述上部流路部的上部表面与所述下部流路部的下部表面沿上下方向彼此隔开。
2.根据权利要求1所述的用以清洁基板的喷头,其特征在于,还包括:
第一主体;以及
第二主体,以使所述第一主体的下表面与所述第二主体的上表面抵接的方式与所述第一主体的下部结合,
所述上部流路部以所述上部流路部的下部开放的状态,形成在所述第一主体的下表面,所述下部流路部以所述下部流路部的上部开放的状态,形成在所述第二主体的上表面,
所述喷出孔将所述喷出孔的上部与所述下部流路部的所述下部表面连通,并以所述喷出孔的下部开放的状态形成在所述第二主体的下表面。
3.根据权利要求2所述的用以清洁基板的喷头,其特征在于,所述上部流路部具有将所述上部流路部的端部的呈开放的下部与所述下部流路部的呈开放的上部连通的分支区间,但所述分支区间的端部被所述第一主体堵塞。
4.根据权利要求1所述的用以清洁基板的喷头,其特征在于,所述下部流路部包括彼此独立地形成且相互隔开的多个下部流路。
5.根据权利要求4所述的用以清洁基板的喷头,其特征在于,在所述多个下部流路中的每一个连通有多个所述喷出孔。
6.根据权利要求5所述的用以清洁基板的喷头,其特征在于,与所述多个下部流路中的每一个连通的多个所述喷出孔沿所述多个下部流路中的每一个的长度方向排列为一列。
7.根据权利要求1所述的用以清洁基板的喷头,其特征在于,所述上部流路部包括与所述下部流路部的一侧连通的第一上部流路部、及与所述下部流路部的相反侧连通的第二上部流路部,所述第一上部流路部与所述第二上部流路部在同一平面上彼此不连通。
8.根据权利要求1所述的用以清洁基板的喷头,其特征在于,所述上部流路部包括:
主流路,与和所述主孔连通的上下流路以彼此垂直的方式连通;以及
分支区间,与所述主流路连通,且所述分支区间的端部的下部与所述下部流路部的上部连通。
9.根据权利要求8所述的用以清洁基板的喷头,其特征在于,所述下部流路部包括多个下部流路,
通过所述上下流路、所述主流路及所述分支区间而流动至所述多个下部流路中的每一个的清洁液的流动距离相同。
10.一种用以清洁基板的喷头的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
主体准备步骤,准备第一主体,在所述第一主体的下表面形成第一上部流路部及第二上部流路部,且在所述第一主体的上表面形成与所述第一上部流路部连通的第一主孔、及与所述第二上部流路部连通的第二主孔,准备第二主体,在所述第二主体的上表面形成有彼此独立地形成且相互隔开的多个下部流路;以及
结合步骤,以如下方式将所述第一主体的下表面与所述第二主体的上表面结合:所述多个下部流路的一侧的上部与所述第一上部流路部的第一分支区间的端部的下部连通,所述多个下部流路的相反侧的上部与所述第二上部流路部的第二分支区间的端部的下部连通。
11.根据权利要求10所述的用以清洁基板的喷头的制造方法,其特征在于,在所述主体准备步骤中,所述第一上部流路部、所述第二上部流路部与所述多个下部流路分别通过加工而形成,
在所述结合步骤中,所述第一主体、所述第二主体的非加工部位与所述第一主体、所述第二主体的加工部位形成对向且密闭的流路构造。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HS高科技股份有限公司,未经HS高科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980041845.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造