[发明专利]膜厚测定装置及校正方法

说明书

根据本公开的一个实施方式的膜厚测定装置包括：第一计算部，计算膜厚已知的第一晶圆的基准位置处的基准反射光谱信号与基准位置以外的各位置处的反射光谱信号之间的各相对反射率；确定部，确定由所述第一计算部计算出的各相对反射率与所述第一晶圆的各位置与所述聚光探针之间的各距离数据之间的关系；第二计算部，基于由所述确定部确定出的关系，计算与测定对象的第二晶圆的各位置与所述聚光探针之间的各距离数据相对应的各相对反射率；以及校正部，在计算所述第二晶圆的各位置处的膜厚时，基于由所述第二计算部计算出的各相对反射率，对所述基准反射光谱信号进行校正。

技术领域

本发明涉及一种膜厚测定装置及校正方法。

背景技术

以往，提出了各种装置作为用于对晶圆的膜厚进行测定的膜厚测定装置。例如，以下的专利文献公开了一种膜厚测定装置，其向晶圆表面照射可见光，并利用由聚光探针所检测出的反射光的反射光谱信号来进行膜厚测定。

在该膜厚测定装置中，以测定对象的晶圆未变形作为前提，通过与从膜厚已知的基准晶圆(例如BareSi(裸硅)晶圆)所取得的基准反射光谱信号进行对比，从而针对测定对象的晶圆进行膜厚的计算。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：(日本)特开2003-42722号公报

专利文献2：(日本)特开2009-192331号公报

发明内容

本发明要解决的问题

本公开提供一种膜厚测定装置及校正方法，即使在测定对象的晶圆变形的情况下，也能够进行膜厚的计算。

用于解决问题的手段

根据本公开的一个实施方式的膜厚测定装置例如具有以下构成。即，包括：第一计算部，计算在膜厚已知的第一晶圆的基准位置处由聚光探针检测出的反射光的基准反射光谱信号与在基准位置以外的各位置处由该聚光探针检测出的反射光的各反射光谱信号之间的各相对反射率；确定部，确定由所述第一计算部计算出的各相对反射率与用于表示所述第一晶圆的各位置与所述聚光探针之间的距离的各距离数据之间的关系；第二计算部，基于由所述确定部确定出的关系，计算与用于表示测定对象的第二晶圆的各位置与所述聚光探针之间的距离的各距离数据相对应的各相对反射率；以及校正部，在计算所述第二晶圆的各位置处的膜厚时，基于由所述第二计算部计算出的各相对反射率，对所述基准反射光谱信号进行校正。

发明的效果

根据本公开，能够提供一种膜厚测定装置及校正方法，即使在测定对象的晶圆变形的情况下，也能够进行膜厚的计算。

附图说明

图1是示出膜厚测定装置的构成的示意图。

图2是示出膜厚测定装置的控制部的硬件构成一个的示例的图。

图3是示出反射光谱校正部的功能构成的一个示例的图。

图4是示出由反射光谱校正部进行的反射光谱校正处理的流程的流程图。

图5是示出校准阶段中的光谱分布取得部的处理的具体示例的图。

图6是示出校准阶段中的距离分布取得部的处理的具体示例的图。

图7是示出校准阶段中关系计算部的处理的具体示例的图。

图8是示出测定阶段中的各部的处理的具体示例的图。

图9是示出膜厚的测定精度得到提高的图。

具体实施方式

首先，对在以下的各实施方式中使用的用语的定义进行说明，同时针对根据以下各实施方式的膜厚测定装置的概要一边与一般的膜厚测定装置进行比较一边进行说明。