[发明专利]膜厚测定装置及校正方法

权利要求书

1.一种膜厚测定装置，包括：

第一计算部，计算在膜厚已知的第一晶圆的基准位置处由聚光探针检测出的反射光的基准反射光谱信号与在基准位置以外的各位置处由该聚光探针检测出的反射光的各反射光谱信号之间的各相对反射率；

确定部，确定由所述第一计算部计算出的各相对反射率与用于表示所述第一晶圆的各位置与所述聚光探针之间的距离的各距离数据之间的关系；

第二计算部，基于由所述确定部确定出的关系，计算与用于表示测定对象的第二晶圆的各位置与所述聚光探针之间的距离的各距离数据相对应的各相对反射率；

校正部，通过基于由所述第二计算部计算出的各相对反射率，对所述基准反射光谱信号进行校正，从而计算各已校正基准反射光谱信号；以及

膜厚计算部，基于所述各已校正基准反射光谱信号、所述第一晶圆的绝对反射率的校正系数、以及在所述第二晶圆的各位置处由所述聚光探针检测出的反射光的各对象反射光谱信号，计算所述第二晶圆的各位置处的膜厚。

2.根据权利要求1所述的膜厚测定装置，其中，

所述第一计算部利用从在所述第一晶圆的基准位置处由聚光探针检测出的反射光的基准反射光谱信号中提取的峰值、以及从在所述基准位置以外的各位置处由所述聚光探针检测出的反射光的各反射光谱信号中提取的峰值来计算所述各相对反射率。

3.根据权利要求2所述的膜厚测定装置，其中，

所述确定部利用一次方程式对由所述第一计算部计算出的各相对反射率与用于表示所述第一晶圆的各位置与所述聚光探针之间的距离的各距离数据之间的关系进行近似。

4.根据权利要求1所述的膜厚测定装置，其中，

所述校正部

通过将基准反射光谱信号乘以计算出的所述各相对反射率，从而计算所述各已校正基准反射光谱信号，并且

通过将通过将在所述第二晶圆的各位置处由所述聚光探针检测出的反射光的所述各对象反射光谱信号乘以所述第一晶圆的绝对反射率的校正系数而得到的结果、与所述各已校正基准反射光谱信号进行对比，来计算对比结果，

所述膜厚计算部在计算所述第二晶圆的各位置处的膜厚时使用所述对比结果。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的膜厚测定装置，还包括：

距离传感器，用于测定晶圆上的期望点与所述聚光探针之间的距离，

其中，用于表示所述第一晶圆的各位置与所述聚光探针之间的距离的各距离数据、以及用于表示所述第二晶圆的各位置与所述聚光探针之间的距离的各距离数据通过所述距离传感器取得。

6.根据权利要求5所述的膜厚测定装置，其中，

由所述聚光探针进行的反射光的检测和由所述距离传感器进行的距离的测定被并行执行。

7.一种校正方法，包括：

第一计算工序，计算在膜厚已知的第一晶圆的基准位置处由聚光探针检测出的反射光的基准反射光谱信号与在基准位置以外的各位置处由该聚光探针检测出的反射光的各反射光谱信号之间的各相对反射率；

确定工序，确定在所述第一计算工序中计算出的各相对反射率与用于表示所述第一晶圆的各位置与所述聚光探针之间的距离的各距离数据之间的关系；

第二计算工序，基于在所述确定工序中确定出的关系，计算与用于表示测定对象的第二晶圆的各位置与所述聚光探针之间的距离的各距离数据相对应的各相对反射率；

校正工序，通过基于在所述第二计算工序中计算出的各相对反射率，对所述基准反射光谱信号进行校正，从而计算各已校正基准反射光谱信号；以及

膜厚计算工序，基于所述各已校正基准反射光谱信号、所述第一晶圆的绝对反射率的校正系数、以及在所述第二晶圆的各位置处由所述聚光探针检测出的反射光的各对象反射光谱信号，计算所述第二晶圆的各位置处的膜厚。