[发明专利]具有使用金属预成型件的热管理的低温计算系统

说明书

提供了包括散热器(例如，第一散热器和第二散热器)和金属预成型件(例如，第一金属预成型件和第二金属预成型件)的计算系统。第一金属预成型件结合到第一散热器的一部分，其中第一金属预成型件被配置为当超导组件被按压成抵靠在第一金属预成型件上时符合超导组件的至少一部分并且即使在第一金属预成型件上的第一压力被释放之后仍然保持形状。计算系统包括第二金属预成型件，第二金属预成型件结合到第二散热器的一部分，其中第二金属预成型件被配置为当超导组件被按压成抵靠在第二金属预成型件上时符合超导组件的至少一部分并且即使在第二金属预成型件上的第二压力被释放之后仍然保持形状。

背景技术

在电子设备中使用的基于半导体的集成电路(诸如数字处理器等)包括基于互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的数字电路。但是，CMOS技术在器件尺寸方面已经达到极限。另外，基于CMOS技术的数字电路在高时钟速度下的功耗已经日益成为高性能数字电路和系统的限制因素。例如，数据中心的服务器消耗越来越多的电能。功耗部分地是由于能量耗散而导致的功率损失，即使CMOS电路处于非活动状态。这是因为，即使这些电路是非活动的并且不消耗任何动态功率，但是由于需要维持CMOS晶体管的状态，它们仍然消耗功率。

使用基于CMOS技术的处理器和相关组件的另一种方法是使用基于超导逻辑的组件和器件。基于超导逻辑的组件和器件也可以用于处理量子信息，诸如量子位。但是，这种器件需要在低温(例如，4K)下操作并且因此需要冷却。

发明内容

在一个方面，本公开涉及一种计算系统，该计算系统包括：具有第一表面的第一基板，第一表面附接有第一多个超导组件；以及具有第二表面的第二基板，第二表面附接有第二多个超导组件。该计算系统还可以包括第一散热器，该第一散热器具有第一表面和形成在第一表面中的第一多个凹部，使得第一多个凹部中的每个凹部被配置为提供空间以容纳第一多个超导组件中的第一超导组件的至少一部分。该计算系统还可以包括第二散热器，该第二散热器具有第二表面和形成在第二表面中的第二多个凹部，使得第二多个凹部中的每个凹部被配置为提供空间以容纳第二多个超导组件中的第二超导组件的至少一部分。

该计算系统还可以包括被结合到第一散热器的至少第一部分的第一金属预成型件，其中第一金属预成型件被配置为当第一超导组件被按压成抵靠在第一金属预成型件上时符合第一超导组件的至少一部分并且即使在第一金属预成型件上的第一压力被释放之后仍然保持形状。该计算系统还可以包括被结合到第二散热器的至少第二部分的第二金属预成型件，其中第二金属预成型件被配置为在第二超导组件被按压成抵靠在第二金属预成型件上时符合第一超导组件的至少一部分，并且即使在第二金属预成型件上的第二压力被释放之后仍然保持形状。

在另一方面，本公开涉及一种计算系统，该计算系统包括：具有第一表面的第一基板，第一表面附接有第一多个超导组件；以及具有第二表面的第二基板，第二表面附接有第二多个超导组件。该计算系统还可以包括第一散热器，该第一散热器具有第一表面和形成在第一表面中的第一多个凹部，使得第一多个凹部中的每个被配置为提供空间以容纳第一多个超导组件中的第一超导组件的至少一部分。该计算系统还可以包括第二散热器，该第二散热器具有第二表面和形成在第二表面中的第二多个凹部，使得第二多个凹部中的每个被配置为提供空间以容纳第二多个超导组件中的第二超导组件的至少一部分。

该计算系统还可以包括被冷结合到第一散热器的至少第一部分的第一铟预成型件，其中第一铟预成型件被配置为当第一超导组件被按压成抵靠在第一铟预成型件上时符合第一超导组件的至少一部分并且即使在第一铟预成型件上的第一压力被释放之后仍然保持形状。该计算系统还可以包括被冷结合到第二散热器的至少第二部分的第二铟预成型件，其中第二铟预成型件被配置为当第二超导组件被按压成抵靠在第二铟预成型件上时符合第一超导组件的至少一部分并且即使在第二铟预成型件上的第二压力被释放之后仍然保持形状。