[发明专利]掩模框架及掩模组件

说明书

掩模板包括：左框架，设置于左侧；右框架，设置于右侧；上框架，将左框架的上端部和右框架的上端部彼此连接；以及下框架，将左框架的下端部和右框架的下端部彼此连接。上框架包括：上直线框架，在水平方向中具有线性形状；以及上弯曲框架，与上直线框架间隔开，上弯曲框架具有左右对称形状且向上凸出弯曲，并且掩模板耦接于上弯曲框架。如此一来，避免了掩模框架的变形及掩模板的变形，且也避免在水平或垂直切换掩模组件的位置的过程中的变形。

技术领域

本公开内容的实施方式涉及掩模框架及掩模组件，且更具体来说涉及用于固定掩模板的掩模框架及包括所述掩模框架的掩模组件，所述掩模板允许阳极、阴极、有机膜、像素或类似者形成于基板之上，所述阳极、阴极、有机膜、像素或类似者的各者以预定图案或形状形成。

背景技术

基板处理装置意指一种装置，用于执行沉积工艺、蚀刻工艺等来制造用于半导体制造的晶片、用于液晶显示器(liquid crystal display，LCD)制造的基板、用于有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)制造的基板等，且可根据基板处理类型、基板处理条件等以数种方式构成。

基板处理装置中的沉积装置意指一种装置，用于利用化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、蒸发沉积等来在基板的表面上形成薄膜。在用于沉积沉积材料于OLED制造所需的基板的表面之上的工艺中，有机材料、无机材料、金属等被蒸发，使得在基板的表面之上形成薄膜。

用于通过蒸发沉积材料来形成薄膜的沉积装置包括沉积腔室及源，用于沉积的基板被装载于所述沉积腔室中，所述源被装设在沉积腔室中并加热/蒸发沉积材料，使得沉积材料可蒸发于基板上，由此沉积装置通过利用已蒸发的沉积材料在基板的表面之上形成薄膜来执行基板处理。

另一方面，上述的基板处理可在掩模放置于基板上的状态中达成，使得阳极、阴极、有机膜、像素等可形成于基板之上，所述掩模被形成为仅暴露沉积区域，所述阳极、阴极、有机膜、像素等的各者通过掩模而具有预定图案或形状。

掩模一般耦接于形成为正方形的掩模框架，且可能在掩模移动或使用时下垂(sag)。特别是，随着较大尺寸的基板及较大尺寸的掩模的数量快速地增加，避免掩模下垂的需求也快速地增加。

引用的文件(专利文件)

(专利文件0001)韩国专利登记第10-1833234号(于2018年2月22日登记)

(专利文件0002)韩国专利登记第10-1295354号(于2013年08月05日登记)

发明内容

技术问题

本公开内容的目的是提供一种掩模框架及一种掩模组件，使得避免掩模框架的变形及掩模板的变形，且也避免掩模板的下垂。

技术方案

根据本公开内容的一方面，一种掩模框架被配置为将掩模板固定于所述掩模框架。所述掩模框架包括：左框架，设置于左侧；右框架，设置于右侧；上框架，将左框架的上端部和右框架的上端部彼此连接；以及下框架，将左框架的下端部和右框架的下端部彼此连接。上框架可包括：上直线框架，在水平方向中具有线性形状；以及上弯曲框架，与上直线框架间隔开，上弯曲框架具有左右对称形状且向上凸出弯曲，并且掩模板耦接于上弯曲框架。

上弯曲框架可位于上直线框架的上方、下方、前方或后方。

上框架可进一步包括上直线子框架，所述上直线子框架在与上直线框架和上弯曲框架间隔开的同时沿着水平方向形成为线性形状，并且相对于上弯曲框架位于上直线框架的对侧。

上弯曲框架可形成为圆形管或多边形管的形状且沿着上弯曲框架的纵向方向具有恒定截面，或者可具有字母“L”、字母“U”及字母“H”的任一者的截面形状。