[发明专利]固化密封体的制造方法

权利要求书

1.一种固化密封体的制造方法，其是使用粘合片而制造固化密封体的方法，

所述粘合片具有基材(Y)，并在基材(Y)的两面分别具有第1粘合剂层(X1)及第2粘合剂层(X2)，所述基材(Y)至少具备包含膨胀性粒子的膨胀性基材层(Y1)及非膨胀性基材层(Y2)，所述第1粘合剂层(X1)及第2粘合剂层(X2)是非膨胀性粘合剂层，

所述粘合片能够通过所述膨胀性粒子的膨胀而在第1粘合剂层(X1)的粘合表面产生凹凸，

该固化密封体的制造方法包括下述工序(1)～(3)：

·工序(1)：将第1粘合剂层(X1)的粘合表面粘贴于硬质支撑体、在第2粘合剂层(X2)的粘合表面的一部分载置密封对象物的工序；

·工序(2)：将所述密封对象物和该密封对象物的至少周边部的第2粘合剂层(X2)的粘合表面用密封材料包覆，使该密封材料进行固化，从而得到用所述密封材料将所述密封对象物密封而成的固化密封体的工序；

·工序(3)：使所述膨胀性粒子膨胀，在第2粘合剂层(X2)上层叠有所述固化密封体的状态下在所述硬质支撑体和第1粘合剂层(X1)的界面P进行分离的工序。

2.根据权利要求1所述的固化密封体的制造方法，其中，

所述粘合片在所述基材(Y)的所述膨胀性基材层(Y1)侧具有第1粘合剂层(X1)、在该基材(Y)的所述非膨胀性基材层(Y2)侧具有所述第2粘合剂层(X2)。

3.根据权利要求1所述的固化密封体的制造方法，其中，

所述基材(Y)具有所述膨胀性基材层(Y1)、设置于所述膨胀性基材层(Y1)的所述第1粘合剂层(X1)侧的非膨胀性基材层(Y2-1)、以及设置于所述膨胀性基材层(Y1)的所述第2粘合剂层(X2)侧的非膨胀性基材层(Y2-2)，

所述膨胀性粒子发生膨胀时的非膨胀性基材层(Y2-1)的储能模量E’低于所述膨胀性粒子发生膨胀时的非膨胀性基材层(Y2-2)的储能模量E’。

4.根据权利要求1或2所述的固化密封体的制造方法，其中，

与所述膨胀性基材层(Y1)相比，所述非膨胀性基材层(Y2)存在于更远离所述第1粘合剂层(X1)的位置，在所述膨胀性基材层(Y1)与所述第1粘合剂层(X1)之间不存在所述非膨胀性基材层(Y2)，

所述膨胀性粒子发生膨胀时的所述非膨胀性基材层(Y2)的储能模量E’大于所述膨胀性粒子发生膨胀时的所述膨胀性基材层(Y1)的储能模量E’。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的固化密封体的制造方法，其中，

在工序(3)中，使所述膨胀性粒子膨胀时，在构成所述粘合片的各层的层间不发生分离。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的固化密封体的制造方法，其中，

所述膨胀性粒子是膨胀起始温度(t)为60～270℃的热膨胀性粒子。

7.根据权利要求6所述的固化密封体的制造方法，其中，

通过在热膨胀性粒子的“膨胀起始温度(t)+10℃”～“膨胀起始温度(t)+60℃”之间的加热处理来进行所述热膨胀性粒子的膨胀。

8.根据权利要求6或7所述的固化密封体的制造方法，其中，

所述膨胀性基材层(Y1)是包含所述热膨胀性粒子的热膨胀性基材层(Y1-1)，且热膨胀性基材层(Y1-1)在23℃下的储能模量E’(23)为1.0×10⁶Pa以上。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的固化密封体的制造方法，其中，

所述非膨胀性基材层(Y2)的体积变化率(％)低于2体积％。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的固化密封体的制造方法，其中，

所述密封对象物为半导体芯片。