[发明专利]光电子器件及其制造过程在审
| 申请号: | 201980037764.9 | 申请日: | 2019-06-03 |
| 公开(公告)号: | CN112262485A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
| 发明(设计)人: | 本杰明·布蒂农;皮埃尔·米勒;大卫·吉耶马尔 | 申请(专利权)人: | 爱色乐居 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/30;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 谭营营;胡彬 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光电子 器件 及其 制造 过程 | ||
本发明涉及一种光电子器件,其包括衬底、覆盖衬底的光电子组件的阵列(70)、耦合到光电子组件的第一导电迹线、覆盖阵列的一部分的粘合层,以及与粘合层接触的涂层(44),该涂层包括外围,该器件还包括第二迹线(72),该第二迹线反射335nm至10.6μm范围内的波长的辐射,并且以与外围对齐的方式沿着给定方向在第一导电迹线与涂层之间延伸。
本专利申请主张法国专利申请FR18/00561的优先权益,该申请在此纳入作为参考。
技术领域
本公开一般地涉及光电子器件及其制造方法,更具体地说,本公开涉及包括显示屏和/或图像传感器的器件。
背景技术
许多计算机、触摸板、手机、智能手表都配备了图像传感器。
图1部分且示意性地示出了图像传感器10。图像传感器10包括探测元件12的阵列11,在下文中称为光学阵列。探测元件12可以布置成行和列。每个探测元件12包括光电探测器14(例如光电二极管),以及选择元件16,例如其源极或漏极耦合到光电二极管14的第一电极(例如阴极)的晶体管。图像传感器10包括选择电路18,该选择电路对于每一行包括耦合到选择晶体管16的栅极的导电迹线20。图像传感器10还包括读出电路22,该读出电路例如对于每一列包括耦合到列选择晶体管16的源极或漏极的导电迹线24。此外,光电二极管14的第二电极(例如阳极)可以通过导电迹线26耦合到参考电势的源极28。
已知形成至少部分地由有机材料制成的探测元件12。然后可以在衬底和选择电路18、读出电路22上分别形成光学阵列11,并且电势的源极28可以对应于连接到光学阵列11的外部电路。光学阵列11通常包括覆盖有涂层的层堆叠,该涂层特别保护有机光电二极管14免受空气中包含的水和氧气的侵害。涂层可以对应于经由粘合层附接到光学阵列上的薄膜。在将薄膜粘合到光学阵列之后,接着提供薄膜切割步骤,特别是将旨在连接到选择电路18、读出电路22和电势源极28的光学阵列11的接触垫暴露出来。可以借助于激光来执行切割步骤。
这种制造方法的缺点是激光的设置困难,从而激光切割步骤可能导致位于激光束路径上的导电迹线22、24、26发生不希望的劣化。此外,当衬底由塑料制成时,其可以吸收激光的波长,使得激光切割步骤导致衬底在激光束的路径上发生不希望的劣化。
发明内容
实施例的一个目的是克服上述光电子器件及其制造方法的全部或部分缺点。
实施例的另一目的是使光电子器件制造方法包括切割步骤,尤其是激光切割步骤。
实施例的另一目的是使光电子器件包括不劣化的导电迹线。
实施例的另一目的是使光电子器件包括不劣化的衬底。
实施例的另一目的是提供包括显示屏和/或图像传感器的光电子器件。
实施例的另一目的是使图像传感器至少部分地由有机半导体材料制成。
实施例的另一目的是使光电子器件的全部或部分通过使用印刷技术(例如,喷墨印刷、照相制版法、丝网印刷、苯胺印刷或涂布)连续沉积多个层而形成。
因此,实施例提供了一种光电子器件,其包括衬底、覆盖所述衬底的光电子组件的阵列、耦合到所述光电子组件的第一导电迹线、覆盖所述阵列的一部分的粘合层、以及与所述粘合层接触的涂层,所述涂层包括外围,所述器件还包括第二迹线,所述第二迹线反射335nm至10.6μm范围内的波长的辐射,并且以与所述外围对齐的方式沿着给定方向在所述第一导电迹线与所述涂层之间延伸。
根据实施例,所述第二迹线选自:
金属或金属合金,例如银(Ag)、金(Au)、铅(Pb)、钯(Pd)、铜(Cu)、镍(Ni)、钨(W)、钼(Mo)、铝(Al)或铬(Cr)或镁和银的合金(MgAg);
碳、银和铜纳米线;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





