[发明专利]光电子器件及其制造过程

权利要求书

1.一种光电子器件，其包括衬底(32)、覆盖所述衬底的光电子组件(38)的阵列(70；75；80；85)、耦合到所述光电子组件的第一导电迹线(50、51)、覆盖所述阵列的一部分的粘合层(42)、以及与所述粘合层(42)接触的涂层(44)，所述涂层包括外围(64)，所述器件还包括第二迹线(72；76；82；86)，所述第二迹线反射335nm至10.6μm范围内的波长的辐射，并且以与所述外围对齐的方式沿着给定方向在所述第一导电迹线与所述涂层之间延伸。

2.根据权利要求1所述的光电子器件，其中所述第二迹线(72；76；82；86)选自：

金属或金属合金，例如银(Ag)、金(Au)、铅(Pb)、钯(Pd)、铜(Cu)、镍(Ni)、钨(W)、钼(Mo)、铝(Al)或铬(Cr)或镁和银的合金(MgAg)；

碳、银和/或铜纳米线；

石墨烯；

彩色或黑色树脂，例如彩色或黑色SU-8树脂；以及

这些材料中至少两种的混合物。

3.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其包括第一电绝缘层(58)；以及对于每个光电子组件，包括与所述光电子组件(38)接触的电极(36)，所述电极位于所述第一绝缘层上并与所述第一绝缘层接触；还包括第二迹线(72；82)，所述第二迹线位于所述第一绝缘层上并与所述第一绝缘层接触。

4.根据权利要求3所述的光电子器件，其中所述第二迹线(72)由与所述电极(36)相同的材料制成。

5.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其包括第二电绝缘层(52)，并且对于每个光电组件(38)，包括场效应晶体管(T)和将所述晶体管耦合到所述光电子组件的第三导电迹线(56)，所述第三导电迹线位于所述第二绝缘层上并与所述第二绝缘层接触；还包括所述第二迹线(76)，所述第二迹线由与所述第三迹线相同的材料制成，位于所述第二绝缘层上并与所述第二绝缘层接触。

6.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其中所述第二迹线(86)介于所述粘合层(42)与所述涂层(44)之间。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的光电子器件，其中所述光电子组件(38)包括有机光电探测器。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的光电子器件，其中所述光电子组件(38)包括有机发光组件。

9.一种制造根据权利要求1至8中任一项所述的光电子器件的方法。

10.根据权利要求9所述的方法，包括以下步骤：

形成覆盖所述衬底(38)的光电子组件(38)的阵列(70；75；80；85)，以及耦合到所述光电子组件的所述第一导电迹线(50、51)；

用所述粘合层(42)覆盖所述阵列的一部分；

施加与所述粘合层(42)接触的薄膜(68)；以及

使用沿着给定方向延伸的激光束切割所述薄膜以获得所述涂层(44)，

所述方法还包括形成所述第二迹线(72；76；82；86)，所述第二迹线反射所述激光束，并且以与所述涂层(44)的外围对齐的方式沿着所述给定方向在所述第一导电迹线与所述涂层之间延伸。