[发明专利]铝合金靶材及其制造方法

说明书

本发明的目的在于提供能够形成耐弯曲性以及耐热性优异的铝合金膜的铝合金靶材以及铝合金靶材的制造方法。为了达成上述目的，本发明的一个方式的铝合金靶材在Al纯金属中含有从Zr、Sc、Mo、Y、Nb以及Ti的组中选择的至少一种的第一添加元素。上述第一添加元素的含量在0.01原子％以上1.0原子％以下。若是使用这样的铝合金靶材形成的铝合金膜，则铝合金膜具有优异的耐弯曲性并具有优异的耐热性。另外，铝合金膜也能够蚀刻。

技术领域

本发明涉及一种铝合金靶材及其制造方法。

背景技术

在液晶显示元件、有机EL显示元件等薄膜晶体管(TFT)中，例如使用Al配线作为低电阻配线材料。

但是，在配线中，因为一般在制造工序的途中形成栅极，所以在形成栅极后受到退火处理的热经历。因此，作为栅极的材料，多使用能够承受热经历的高熔点金属(例如Mo)(例如参照对比文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-156482号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，在将Mo这种高熔点金属应用于具有曲面形状的屏幕的显示器或能够弯折的折叠式显示器的曲面部的电极的情况下，因为高熔点金属没有足够的耐弯曲性，所以电极有可能因为弯曲而断裂。

另外，在采用弯曲性优异的电极材料来代替高熔点金属的情况下，需要电极相对于热经历具有足够的耐性。

鉴于以上情况，本发明的目的在于，提供一种能够形成耐弯曲性以及耐热性优异的铝合金膜的铝合金靶材以及铝合金靶材的制造方法。

用于解决问题的手段

为了达成上述目的，本发明的一个方式的铝合金靶材在Al纯金属中含有从Zr、Sc、Mo、Y、Nb以及Ti的组中选择的至少一种的第一添加元素。上述第一添加元素的含量在0.01原子％以上1.0原子％以下。

若是使用这样的铝合金靶材形成的铝合金膜，则铝合金膜具有优异的耐弯曲性并具有优异的耐热性。另外，铝合金膜也能够蚀刻。

在上述铝合金靶材中，还能够含有从Mn、Si、Cu、Ge、Mg、Ag以及Ni的组中选择的至少一种的第二添加元素，上述第二添加元素的含量在0.2原子％以上3.0原子％以下。

若是使用这样的铝合金靶材形成的铝合金膜，则铝合金膜具有优异的耐弯曲性，还具有优异的耐热性。另外，铝合金膜也能够蚀刻。

为了达成上述目的，本发明的一个方式的铝合金靶材，在Al纯金属中含有从Mn、Si、Cu、Ge、Mg、Ag以及Ni的组中选择的至少一种的第二添加元素。

上述第二添加元素的含量在0.2原子％以上3.0原子％以下。

若是使用这样的铝合金靶材形成的铝合金膜，则铝合金膜具有优异的耐弯曲性并具有优异的耐热性。另外，铝合金膜也能够蚀刻。

在上述铝合金靶材中，还可以含有从Ce、Nd、La以及Gd的组中选择的至少一种的第三添加元素，上述第三添加元素的含量在0.1原子％以上1.0原子％以下。

若是使用这样的铝合金靶材形成的铝合金膜，则铝合金膜具有优异的耐弯曲性，由于第三添加元素在晶界析出而具有优异的耐热性。另外，铝合金膜也能够蚀刻。

在上述铝合金靶材中，粒子的平均粒径可以在10μm以上100μm以下。

在上述铝合金靶材中，上述粒子间的晶界处的Ce、Mn以及Si中的至少任一种的含量可以比上述粒子内的Ce、Mn以及Si中的至少任一种的含量高。