[发明专利]以使用烷基卤化物生成的反应性核素处理工件

说明书

提供了用于从工件上的膜，比如金属氮化物膜去除材料的方法。一个示例实施涉及用于处理工件的方法。工件可包括膜(例如，金属氮化物膜)。方法可包括生成一种或多种核素(例如，氢自由基、激发的惰性气体分子等)。方法可包括将烷基卤化物与一种或多种核素混合，以生成一种或多种烷基自由基。方法可包括将膜暴露于一种或多种烷基自由基。

优先权声明

本申请要求于2018年4月13日提交的名称为“Processing of Workpieces WithReactive Species Generated Using Alkyl Halide(以使用烷基卤化物生成的反应性核素处理工件)”的美国临时申请系列号62/657,114的优先权的权益，其通过引用并入本文。本申请要求于2018年4月16日提交的名称为“Processing of Workpieces With ReactiveSpecies Generated Using Alkyl Halide(以使用烷基卤化物生成的反应性核素处理工件)”的美国临时申请系列号62/658,117的优先权的权益，其通过引用并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及用使用烷基卤化物生成的反应性核素处理工件。

背景技术

等离子体处理在半导体工业中广泛用于半导体晶片和其他基材的沉积、刻蚀、抗蚀剂去除(resist removal)以及相关的处理。等离子体源(例如，微波、ECR、感应等)通常用于等离子体处理，以产生用于处理基材的高密度等离子体和反应性核素。使用等离子干式剥离(dry strip)工艺已经实现了注入后的光抗蚀剂、刻蚀后的残留物和其他掩膜和/或材料的去除。在等离子体干式剥离工艺中，来自在远程等离子体腔室中生成的等离子体的中性颗粒通过分离栅进入处理腔室中，以处理工件，比如半导体晶片。在等离子体刻蚀工艺中，直接暴露于工件的等离子体中生成的自由基、离子和其他核素可用于刻蚀和/或去除工件上的材料。

发明内容

本公开的实施方式的方面和优点部分将在以下描述中陈述，或可从描述中得知，或可通过实施方式的实践而得知。

本公开的一个示例方面涉及用于处理工件的方法。工件可包括膜(例如，金属氮化物膜)。方法可包括生成一种或多种核素(例如，氢自由基、激发的惰性气体分子等)。方法可包括将烷基卤化物与一种或多种核素混合，以生成一种或多种烷基自由基。方法可包括将膜暴露于一种或多种烷基自由基。

参考以下描述和所附的权利要求，各种实施方式的这些和其他特征、方面和优点将变得更好理解。并入本说明书中并且构成本说明书的一部分的附图阐释了本公开的实施方式，并且与描述一起用来解释相关的原理。

附图说明

参考附图，在说明书中陈述了指导本领域技术人员的实施方式的详细讨论，其中：

图1描绘了根据本公开的示例实施方式的示例等离子体处理装置；

图2描绘了根据本公开的示例实施方式的示例方法的流程图；

图3描绘了根据本公开的示例实施方式，将烷基卤化物与一种或多种氢自由基混合的示例；

图4描绘了根据本公开的示例实施方式，将烷基卤化物与一种或多种氢自由基混合的示例；

图5描绘了根据本公开的示例实施方式的示例等离子体处理装置；

图6描绘了根据本公开的示例实施方式的示例等离子体处理装置；以及

图7描绘了根据本公开的示例实施方式的示例方法的流程图。

具体实施方式