[发明专利]以使用烷基卤化物生成的反应性核素处理工件

权利要求书

1.一种用于处理工件的方法，所述工件包括膜，所述方法包括：

通过使用等离子体源在工艺气体中诱导等离子体而生成一种或多种核素；

将烷基卤化物与所述一种或多种核素混合，以生成一种或多种烷基自由基；

将所述膜暴露于所述一种或多种烷基自由基。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种烷基卤化物具有C_nH_2n+1X的化学式，其中n的范围为1至5并且X为F、Cl、Br或I。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述烷基自由基包括CH₃自由基。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述膜包括含有金属和氮的膜。

5.根据权利要求5所述的方法，其中所述膜包括氮化钛。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述膜包括氮化钽。

7.根据权利要求1所述的方法，其中将烷基卤化物与所述一种或多种核素混合包括生成一种或多种烷基自由基和卤化氢。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述卤化氢包括HF、HCl、HBr或HI。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述工艺气体包括氢并且所述核素包括氢自由基。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述工艺气体为惰性气体。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述惰性气体为氦。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种核素包括使用加热的丝生成的氢自由基。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种核素在第一腔室中生成，所述工件放置在通过分离栅与所述第一腔室分开的第二腔室中，其中所述分离栅可操作地过滤在所述第一腔室中生成的一种或多种离子。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述烷基卤化物在所述分离栅处或在分离栅之后被注入至所述一种或多种核素中。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法进一步包括在含有所述工件的处理腔室中生成包括烷基自由基、氢离子和卤化物离子的混合物。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述方法包括将所述烷基自由基、氢离子和卤化物离子暴露于所述膜。

17.根据权利要求16所述的方法，其中使用在含有所述工件的所述处理腔室中生成的等离子体，由烷基自由基和卤化氢生成所述包括烷基自由基、氢离子和卤化物离子的混合物。

18.根据权利要求17所述的方法，其中在所述处理腔室中使用可操作地支撑所述工件的基座中的偏置源生成所述等离子体。

19.一种用于处理包含含有金属和氮的膜的工件的方法，所述方法包括：

在第一腔室中的混合物中生成一种或多种核素；

过滤所述第一腔室中的一种或多种离子，以生成过滤的混合物；

将一种或多种烷基卤化物注入所述过滤的混合物中，以生成一种或多种烷基自由基；

将所述含有金属和氮的膜暴露于第二腔室中的所述一种或多种烷基自由基，所述第二腔室与所述第一腔室分开。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述第一腔室通过分离栅与所述第二腔室分开。