[发明专利]成像装置在审
| 申请号: | 201980034099.8 | 申请日: | 2019-04-19 |
| 公开(公告)号: | CN112189260A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
| 发明(设计)人: | 津川英信;中邑良一;石川喜一;高桥洋 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/3205;H01L21/60;H01L21/768;H01L23/522;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;曹正建 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 成像 装置 | ||
一种成像装置包括第一芯片、支撑基板和第二芯片,所述支撑基板具有在与所述第一芯片相对的区域中的凹入的形状或洞的形状的挖掘部,所述第二芯片被布置在所述支撑基板的所述挖掘部中并且电连接至所述第一芯片,所述第一芯片和/或所述第二芯片具有光电转换功能。
技术领域
本发明涉及包含多个芯片的成像装置。
背景技术
已经开发了各自具有多个层叠的芯片的层叠型成像装置(例如,参见专利文献1)。在这类成像装置中,层叠有设置有针对各个像素的光电转换器的芯片和设置有处理由各个像素获取的信号的电路的芯片。这些芯片例如通过使用凸块(bump)等彼此电连接。
引用列表
专利文献
专利文献1:日本待审查专利申请第2016-171297号公报
发明内容
这类层叠型成像装置需要在堆叠方向上布置的芯片之间的更加简便的电气连接。
因此期望提供能够使在堆叠方向上布置的芯片之间的电气连接更加简便的成像装置。
根据本发明的实施例的成像装置包括:第一芯片、支撑基板和第二芯片。所述支撑基板包括在与所述第一芯片相对的区域中的挖掘部。所述挖掘部具有凹入的形状或者洞的形状。所述第二芯片被布置在所述支撑基板的所述挖掘部中。所述第二芯片电连接至所述第一芯片。所述第一芯片或所述第二芯片中的至少一者具有光电转换功能。
在根据本发明的实施例的成像装置中,所述第二芯片被布置在所述支撑基板的所述挖掘部中。与所述第二芯片被布置在没有挖掘部的支撑基板上的情况相比,这减小了在所述第二芯片的前表面与挖掘部外侧的所述支撑基板的前表面之间的水平差。即,在设置有所述第二芯片的所述支撑基板的前表面更容易形成平坦化表面。
根据本发明的实施例的成像装置具有被布置在所述支撑基板的所述挖掘部中的所述第二芯片。这使得能够容易地在设置有所述第二芯片的所述支撑基板的前表面形成平坦化表面。所述第一芯片连接至所述第二芯片,且在它们之间具有该平坦化表面。这使得能够更加简化在堆叠方向上布置的芯片之间的电连接。
需要注意的是,上述内容是本发明的示例。本发明的效果不局限于上述内容,而是可以是其它不同的效果或者还可以包括其它效果。
附图说明
[图1]图1是示出了根据本发明的第一实施例的成像装置的主要部分的构造的横截面示意图。
[图2]图2是示出了图1所示的传感器芯片的平面构造的示例的示意图。
[图3]图3是示出了图1所示的布线层、逻辑芯片和支撑基板的平面构造的示例的示意图。
[图4]图4是图1所示的成像装置的构造的另一示例(1)的横截面示意图。
[图5]图5是图1所示的成像装置的构造的另一示例(2)的横截面示意图。
[图6A]图6A是示出了图1所示的成像装置的制造方法的步骤的立体图。
[图6B]图6B是示出了沿着图6A所示的B-B’线的横截面构造的示意图。
[图7A]图7A是示出了图6A之后的步骤的立体图。
[图7B]图7B是示出了沿着图7A所示的B-B’线的横截面构造的示意图。
[图8]图8是示出了图7B之后的步骤的横截面示意图。
[图9]图9是示出了图8之后的步骤的横截面示意图。
[图10]图10是示出了图9之后的步骤的立体图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





