[发明专利]CVD设备的设有特征标识的构件和用于传输信息的方法

说明书

本发明涉及一种用于向处理控制器(15)传输信息的方法，所述具有下列方法步骤，提供构件(10，11，12，13)，所述构件借助构造的体积区域设有可机器读取的特征标识(16)。在加热构件(10，11，12，13)时结构(7，8，9)在红外线范围内发光，使得所述结构能够被红外线传感器(14)区分。由隆起(7)或凹陷(8)构成的结构形成可机器读取的标识(16)，所述标识能用作真实性标记。当所述标识(16)在原位通过加热可被测得时，处理控制器(15)能够识别是否使用修正值来实施对基板(6)的热处理。

技术领域

本发明涉及一种用于热处理至少一个基板的设备的构件，其中，所述构件在热处理时通过加热装置被加热到一个温度，在该温度下通过温度传感器、例如红外线传感器能够根据传感器信号的强度相互区分所述构件的彼此不同地构造的体积区域的表面区域。

本发明还涉及一种用于热处理至少一个基板的设备，所述设备具有至少一个控制装置和构件，所述构件在热处理时通过加热装置被加热到一个温度，在该温度下通过传感器能够根据传感器信号的强度相互区分所述构件的彼此不同地构造的区域内的表面区域。

本发明还涉及一种用于向处理控制器传输信息的方法和一种用于修正处理参数的方法。

背景技术

作为CVD(化学气相沉积)反应器的组成部分的构件还在专利文献EP 2 160 759Bl、DE 10 2013 012 082 Al、DE 10 2012 108 986 Al或DE 10 2008 055 582 Al中记载。

从专利文献US 9,568,421 B2或US 2017/0323186 Al中已知一种方法和设备，以便给对象设置特征标识。真实性标记和可机器读取的字符布置也在专利文献WO 2015/170306 A2和US 3,636,317中记载。

按照本发明的CVD反应器具有处理室，该处理室被壁包围。处理室的壁由耐热材料例如陶瓷、石英、石墨或钼制成的构件构成。该构件在基板的热处理时，例如当在基板上沉积出层时被加热。为了沉积出层，将多个处理气体输入处理室中，这些处理气体在处理室中热分解。分解产物、尤其第III主族元素的有机金属化合物和第V主族元素的氢化物通过形成层而沉积在基板表面上。沉积层的质量在很大程度上取决于处理室中实现期望的温度曲线。因此，例如有必要使承载基板的基座上的侧向温度梯度尽可能消失。在多个按照本发明的处理室中，从下方加热基座并且冷却与基座相对置的处理室顶盖。然而还提供其他的装置，其中，同样加热处理室顶盖。构件、尤其基座的确定的物理变量、尤其是几何变量例如对处理室中的过程变量、如温度或温度曲线具有很大的影响。为了能够以可重复的结果实施热处理过程、尤其是层的沉积，需要将所期望的过程变量可靠地保持在窄的公差范围内。为了实现期望的过程变量，借助方案的处理参数调整执行器、例如加热装置或用于调节冲洗流的质量流控制器。方案的处理参数可以设计为，在构件的物理变量的标准值的情况下在处理室中实现期望的过程变量。若物理变量例如由于一个构件已替换成另一个构件而发生变化，则即使处理参数未更改，过程变量也会发生变化。因此，构件的更换会影响处理室内的温度分布，从而影响沉积在基板上的层的质量。作为物理变量在此可以考虑尤其带公差的变量、例如构件的表面的涂层的平均层厚度、表面粗糙度、表面的光发射率或构件的确定的长度值、宽度值或厚度值。

因此，在更换构件后，通常需要修改方案的处理参数，以在处理室内实现期望的过程变量。

发明内容

首先本发明所要解决的技术问题是，提供一种手段，通过该手段改善用于热处理基板的设备的操作。

该技术问题通过权利要求中所限定的技术方案来解决，其中，从属权利要求不仅是独立权利要求有利的扩展方案，也是该技术问题的独立解决方案。