[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种等离子体处理装置，其具有支承部、滤波器部和升降部。支承部支承载置被处理体的载置台，并配置有用于等离子体处理的配线，其中该被处理体为等离子体处理的对象。滤波器部连接于配线的端部，使在配线中传播的噪声衰减。升降部将支承部和滤波器部作为一体地升降。

技术领域

本发明涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

专利文献1中公开有一种等离子体处理装置，其包括使载置半导体晶片等的被处理体的载置台升降的升降机构。例如，等离子体处理装置在进行被处理体的送入、送出时，使载置台下降至被处理体的输送位置，在进行等离子体处理时，使载置台上升到适合于等离子体处理的处理位置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-045635号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供即使在使载置台升降了的情况下，也能够抑制在配线中传播的噪声的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方式的等离子体处理装置具有支承部、滤波器部和升降部。支承部支承载置被处理体的载置台，并配置有用于等离子体处理的配线，其中该被处理体为等离子体处理的对象。滤波器部连接于配线的端部，使在配线中传播的噪声衰减。升降部将支承部和滤波器部作为一体地升降。

发明效果

依照本发明，即使在使载置台升降了的情况下，也能够抑制在配线中传播的噪声。

附图说明

图1是表示实施方式的等离子体处理装置的概要结构的一个例子的截面图。

图2是表示实施方式的载置台和支承部的结构的一个例子的截面图。

图3是将实施方式的载置台附近放大的放大图。

图4是表示实施方式的支承部的结构的一个例子的俯视图。

图5是表示实施方式的支承部的结构的一个例子的仰视图。

图6A是表示实施方式的贯通孔内的配线的配置的一个例子的图。

图6B是表示实施方式的贯通孔内的配线的配置的一个例子的图。

图6C是表示实施方式的贯通孔内的配线的配置的一个例子的图。

图6D是表示实施方式的贯通孔内的配线的配置的一个例子的图。

具体实施方式

下面，参照附图，对本申请公开的等离子体处理装置的实施方式详细地进行说明。此外，公开的等离子体处理装置并不由本实施方式所限定。

等离子体处理装置中，伴随等离子体的生成而产生高频的噪声，噪声能够沿设置于载置台的配线传播。等离子体处理装置中，为了抑制噪声向外部传播，在配线的端部设置使噪声衰减的滤波器。例如，等离子体处理装置在载置台设置加热器和对加热器的供电配线。在供电配线，由于在等离子体处理时施加的高频(Radio Frequency)电功率而产生噪声。因此，等离子体处理装置中，在供电配线的端部设置使噪声衰减的滤波器。

但是，在等离子体处理装置中，在使载置台升降了的情况下，由于升降而配线移动，配线的阻抗发生变化，有可能不能用滤波器充分地抑制配线的噪声。因此，期待即使在使载置台升降了的情况下，也能够抑制配线的噪声。

[等离子体处理装置的结构]