[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号: | 201980032324.4 | 申请日: | 2019-05-17 |
| 公开(公告)号: | CN112189060B | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
| 发明(设计)人: | 饭塚八城 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/683;H05H1/46 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:
支承部,其支承载置被处理体的载置台,并配置有用于等离子体处理的配线,其中所述被处理体为等离子体处理的对象;
滤波器部,其连接于所述配线的端部,使在所述配线中传播的噪声衰减;以及
将所述支承部和所述滤波器部作为一体地升降的升降部,
所述支承部具有导电性,形成为接地电位,并形成有收纳所述配线的贯通孔,
所述滤波器部与所述支承部导通而形成为等电位。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述配线,其周围被绝缘性部件覆盖,并以静止的方式配置于所述贯通孔内。
3.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:
支承部,其支承载置被处理体的载置台,并配置有用于等离子体处理的配线,其中所述被处理体为等离子体处理的对象;
滤波器部,其连接于所述配线的端部,使在所述配线中传播的噪声衰减;以及
将所述支承部和所述滤波器部作为一体地升降的升降部,
在所述载置台与所述支承部之间还具有由电介质形成的介电部,
所述支承部在其与所述介电部之间形成大气气氛的间隙,并沿与所述电介质相对的面的边缘部设置有密封件。
4.如权利要求1或3所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述滤波器部固定于所述支承部。
5.如权利要求1或3所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述载置台设置有通过供电而发热的加热器,
所述配线为对所述加热器供电的供电配线。
6.如权利要求1或3所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述支承部具有:与所述载置台相对的平板状的平板部;和支承所述平板部的柱状部,所述柱状部形成为圆柱状,并沿圆柱的轴形成有大气气氛的中空部,
对所述载置台供给高频电功率的供电配线与所述柱状部的内壁面隔开间隔地配置于所述中空部中。
7.如权利要求1或3所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述支承部设置有多个所述配线,
所述滤波器部与多个所述配线对应地设置有多个,以在周向上均等地配置的方式被固定在设置于所述支承部的下部的凸缘部的下表面。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





