[发明专利]流体控制设备在审

专利信息
申请号: 201980032068.9 申请日: 2019-07-16
公开(公告)号: CN112119249A 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 丹野龙太郎;篠原努;铃木裕也;木曾秀则;渡边义明 申请(专利权)人: 株式会社富士金
主分类号: F16K37/00 分类号: F16K37/00;F16K7/12;G01M3/26
代理公司: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 代理人: 张黎;龚敏
地址: 日本国大阪府大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 流体 控制 设备
【说明书】:

本发明提供一种在流体控制设备中即使流体的漏出微小的情况下也能够高精度地探测到漏出的技术。流体控制设备(V1)具有:阀主体(1),形成有流路;隔膜(22),将封闭空间(S2)从流路隔离;阀盖(24),与隔膜(22)之间形成封闭空间(S2),并且该阀盖设置有贯插孔(241a),该贯插孔与封闭空间(S2)连通且供隔膜压件(23)能够上下移动地进行贯穿插入;隔膜压件(23),在贯插孔(241a)内上下移动来按压隔膜(22),并且设置有使得所述隔膜压件(23)不能从贯插孔(241a)拔出的扩径部(232);压力传感器(P),检测封闭空间(S2)内的压力;以及弹性体(6),在封闭空间(S2)内夹设于隔膜压件(23)的扩径部(232)与阀盖(24)之间,伴随着隔膜压件(23)的上下移动而在隔膜压件(23)的扩径部(232)与阀盖(24)之间弹性地膨胀收缩。

技术领域

本发明涉及在流体控制装置中探测流体的漏出的技术。

背景技术

以往,在半导体晶圆的表面形成薄膜的成膜处理中,要求膜厚的细微的控制,近年来,使用了以原子级或分子级的厚度形成薄膜的ALD(Atomic Layer Deposition:原子层沉积)这样的成膜方法。

但是,这样的成膜处理对向成膜装置供给流体的流体控制设备要求比迄今为止更高的高频度的开闭动作,有时会由于其负荷而容易引起流体的漏出等。故而,对能够容易地探测流体控制设备中的流体的漏出的技术的要求变高。

另外,在半导体制造工艺中使用反应性高、毒性极高的气体,因此重要的是能够在漏出微小的情况下且能够远程地探测到漏出。

在这方面,在专利文献1中,提出了一种由形成于对流体的流量进行控制的控制器的外表面的孔和安装于该孔的泄漏探测构件构成的密封部破损探测机构,所述孔与控制器内的空隙连通,所述泄漏探测构件由安装于所述孔的筒状体和设置于该筒状体的可动构件构成,该可动构件基于在控制器内的所述空隙内充满的漏出流体的压力而能向所述筒状体的外侧移动。

另外,在专利文献2中,提出了一种由形成于对流体的流量进行控制的控制器的外表面的孔和安装于该孔的泄漏探测构件构成的带密封部破损探测机构的控制器,所述孔与控制器内的空隙连通,所述泄漏探测构件根据特定的流体的存在而感应。

另外,在专利文献3中,提出了一种检测流体的泄漏的泄漏检测装置,其具备:传感器保持体;超声波传感器,其设置于泄漏检测对象部件并以与将泄漏检测对象部件内的密封部分和外部进行连通的泄漏端口对置的方式保持于传感器保持体;超声波通道,其设置于超声波传感器的传感器面与泄漏端口之间;以及处理电路,其对由超声波传感器得到的超声波进行处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开平04-093736号公报

专利文献2:日本特开平05-126669号公报

专利文献3:日本特开2014-21029号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是,在专利文献1记载的密封部破损探测机构中,虽然能够判别控制器内的空隙的加压,但是无法判别负压,在流体的漏出微小的情况下,可动构件不能充分地移动,可能无法探测漏出。

另外,在专利文献2记载的带密封部破损探测机构的控制器中,在流体的漏出微小的情况下,可能被净化气体稀释化而泄漏探测构件不进行感应,另外,泄漏探测构件对给定的流体也可能不进行感应。

而且,在专利文献3记载的泄漏检测装置中,在流体的漏出微小的情况下,超声波微弱也可能无法探测漏出。

因此,本发明的目的之一在于,提供一种在流体控制设备中即使流体的漏出微小的情况下也能够高精度地探测到漏出的技术。

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