[发明专利]估计衬底的参数

说明书

一种用于跨衬底上的区域估计参数的方法，该区域被划分为多个子区域，该方法包括：获得针对多个子区域中至少两个子区域的参数的值；以及通过评估将参数的值作为输入值的函数，来估计针对区域上的位置的参数，其中a)函数包括分段定义的基函数，其中跨子区域定义单个基函数；以及b)函数在包含于区域内的至少两个子区域的一个或多个相邻子区域之间是连续的。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年5月16日提交的欧洲申请18172621.7的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及用于估计光刻过程的表面上的参数的方法。

背景技术

光刻设备是将期望的图案施加至衬底上的机器。例如，光刻设备可用于例如集成电路(IC)的制造。光刻设备可例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案(也常被称为“设计布局”或“设计”)投影到设置于衬底(例如晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用辐射。这种辐射的波长确定了可以形成于所述衬底上的特征的最小大小。当前使用的典型波长为365nm(i-line)、248nm、193nm和13.5nm。使用具有在4至20nm(例如6.7nm或13.5nm)范围内的波长的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可被用来在衬底上形成比使用例如具有约193nm波长的辐射的光刻设备更小的特征。

低k₁光刻可用于对尺寸比光刻设备的经典分辨率极限更小的特征进行加工。在这种过程中，分辨率公式可以表示为CD＝k₁×λ/NA，其中λ是所使用的辐射的波长，NA是所述光刻设备中的投影光学元件的数值孔径，CD是“临界尺寸”(通常是所印刷的最小特征尺寸，但在本例中，为半间距)且k₁是经验分辨率因子。一般来说，k₁越小，则在衬底上重现与由电路设计师所规划的形状和尺寸相似的图案越难，以便实现特定的电气功能和性能。为了克服这些困难，可以将复杂的微调步骤应用于光刻投影设备和/或设计布局。例如，这些包括但不限于优化NA、定制照射方案、使用相移图案形成装置、诸如设计布局中的光学邻近校正(OPC，有时也称为“光学和过程校正”)之类的设计布局的各种优化、或通常定义为分辨率增强技术的其他方法(RET)。替代地，用于控制所述光刻设备的稳定性的一个或多个紧密控制回路可用于改善低k₁情况下所述图案的再现。

可以采取的另一个微调步骤是考虑待以光刻的方式来图案化所述衬底的表面的形貌。这可以通过获得衬底的参数值来实现，例如通过测量，并且使用这些值来确定跨所述衬底的整体或部分的参数的拟合。然后，可以使用参数拟合，例如，用以通过考虑跨过所述衬底的整体的参数形貌来优化光刻过程设置。

发明内容

根据本发明，在一方面中，提供一种用于跨衬底上的区域估计参数的方法，所述区域被划分为多个子区域，所述方法包括：获得针对所述多个子区域中至少两个子区域的所述参数的值；以及通过评估将所述参数的值作为输入值的函数，来针对所述区域上的位置估计所述参数，其中a)所述函数包括分段定义的基函数，其中跨子区域定义单个基函数；并且b)所述函数在包含于所述区域内的至少两个子区域的一个或多个相邻子区域之间是连续的。

在示例性布置中，所述参数可包括聚焦、重叠和/或剂量。

可选地，所述区域的所述多个子区域形成矩形网格。矩形网格允许所述多个子区域匹配可已在所述衬底上被图案化的特征的多个方向。针对如聚焦和重叠的参数，经常在x方向和y方向上表示偏差和参数特征，并且因此利用矩形网格更佳地或更容易地捕获。在替代配置中，所述多个子区域可以是径向区段或分块，以利用径向依赖性和特征(例如剂量)更准确地捕获特征参数。

可选地，所述多个子区域中的一个或多个子区域基本上与所述衬底上的一个或多个管芯或场重合

可选地，每个子区域获得所述参数的至少一个值。