[发明专利]摄像元件和电子设备

说明书

本技术涉及能够减小FD电容的摄像元件和电子设备。本技术包括：基板；第一像素，其包括设置在所述基板中的第一光电转换区域；第二像素，其包括与所述第一光电转换区域相邻且设置在所述基板中的第二光电转换区域；沟槽，其在所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域之间被设置于所述基板中；第一区域，其包含于所述第一像素中；第二区域，其包含于所述第二像素中；和第三区域，其与所述第一区域、所述第二区域及所述沟槽接触。例如，本技术能够适用于CMOS图像传感器。

技术领域

本技术涉及摄像元件和电子设备，例如，涉及在多个像素共用预定晶体管的情况下适用的摄像元件和电子设备。

背景技术

在现有技术中，设置在摄像装置中的CMOS(互补金属氧化物半导体：complementary metal oxide semiconductor)图像传感器包括每个像素中的诸如光电二极管和晶体管等元件。此外，作为CMOS图像传感器，已经提出了包括有在各像素之间将相邻像素彼此电气隔离的深沟槽隔离(DTI：deep trench isolation)的构造。

当设置有DTI并且多个像素共用预定晶体管时，必须在每个像素中设置浮动扩散部(FD：floating diffusion)区域，并且通过配线将多个FD区域电气连接。由于使用配线来连接FD区域而导致配线长度变长，因此FD电容很可能增大。当FD电容增大时，转换效率就降低，输出信号就变小，并且S/N比(信噪比)很可能劣化。

专利文献1提出，形成了与相邻像素的FD区域双方都电气连接的触头(contact)，因而使得FD区域电气导通，并且抑制了FD电容的增大。

引用文献列表

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2017/0200763号

发明内容

要解决的技术问题

根据专利文献1，为了将相邻像素的FD区域连接起来并抑制接触电阻的增大，以及为了即使发生触头未对准时也可以承受触头未对准的影响，必须形成较大的触头或形成较大的FD区域。

根据专利文献1，触头或FD区域在尺寸上的变小是有限度的。目前期望的是，减小FD电容，提高转换效率，并且提高S/N比。

鉴于上述情况而做出了本技术，并且本技术可以提高S/N比。

解决问题的技术方案

根据本技术的一个方面的摄像元件包括：基板；第一像素，其包括设置在所述基板中的第一光电转换区域；第二像素，其包括与所述第一光电转换区域相邻且设置在所述基板中的第二光电转换区域；沟槽，其在所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域之间被设置于所述基板中；第一区域，其包含于所述第一像素中；第二区域，其包含于所述第二像素中；和第三区域，其与所述第一区域、所述第二区域及所述沟槽接触。

根据本技术的一个方面的电子设备包括摄像元件，所述摄像元件包括：基板；第一像素，其包括设置在所述基板中的第一光电转换区域；第二像素，其包括与所述第一光电转换区域相邻且设置在所述基板中的第二光电转换区域；沟槽，其在所述第一光电转换区域和第二光电转换区域之间被设置于所述基板中；第一区域，其包含于所述第一像素中；第二区域，其包含于所述第二像素中；和第三区域，其与所述第一区域、所述第二区域及所述沟槽接触。

在根据本技术的一个方面的摄像元件中，包括了：基板；第一像素，其包括设置在基板中的第一光电转换区域；第二像素，其包括与第一光电转换区域相邻且设置在基板中的第二光电转换区域；沟槽，其在第一光电转换区域和第二光电转换区域之间被设置于基板中；第一区域，其包含于第一像素中；第二区域，其包含于第二像素中；和第三区域，其与第一区域、第二区域及沟槽接触。

在根据本技术的一个方面的电子设备中，包括了上述摄像元件。