[发明专利]摄像元件和电子设备

权利要求书

1.一种摄像元件，其包括：

基板；

第一像素，其包括设置在所述基板中的第一光电转换区域；

第二像素，其包括与所述第一光电转换区域相邻且设置在所述基板中的第二光电转换区域；

沟槽，其在所述第一光电转换区域和第二光电转换区域之间被设置于所述基板中；

第一区域，其包含于所述第一像素中；

第二区域，其包含于所述第二像素中；和

第三区域，其与所述第一区域、所述第二区域及所述沟槽接触。

2.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域是N型杂质区域或P型杂质区域。

3.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域是具有同一电位的区域。

4.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述第一区域和所述第二区域是浮动扩散部(FD)。

5.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述第一区域和所述第二区域是接地区域。

6.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述第三区域由相对于所述基板含有N型或P型杂质的多晶硅形成。

7.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述第三区域的侧面中的两个表面及所述第三区域的底面与形成在所述沟槽中的预定膜接触。

8.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，连接到晶体管的配线与所述第三区域连接。

9.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述第三区域的深度为所述第一区域的深度的50％至80％。

10.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，在所述第一区域和所述第三区域彼此接触的部分中，所述第一区域被形成为与所述第三区域一样大或被形成为比所述第三区域大。

11.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述第三区域以两个表面与所述第一区域接触。

12.根据权利要求1所述的摄像元件，

其中，连接到晶体管的配线与所述第一区域连接，并且

所述第一区域被形成为比所述第二区域大的区域。

13.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，在所述沟槽的侧壁上形成有包括P型区域和N型区域的PN结区域。

14.一种电子设备，其包括摄像元件，所述摄像元件包括：

基板；

第一像素，其包括设置在所述基板中的第一光电转换区域；

第二像素，其包括与所述第一光电转换区域相邻且设置在所述基板中的第二光电转换区域；

沟槽，其在所述第一光电转换区域和第二光电转换区域之间被设置于所述基板中；

第一区域，其包含于所述第一像素中；

第二区域，其包含于所述第二像素中；和

第三区域，其与所述第一区域、所述第二区域及所述沟槽接触。