[发明专利]层叠膜及Ag合金溅射靶

权利要求书

1.一种层叠膜，其具备Ag合金膜及层叠于该Ag合金膜的一面或两面的透明导电氧化物膜，其中，

所述Ag合金膜的组成为：包含5.0原子％以上且13.0原子％以下的范围内的Ge，且剩余部分为Ag及不可避免的杂质，

所述Ag合金膜的膜厚在3nm以上且10nm以下的范围内。

2.根据权利要求1所述的层叠膜，其特征在于，

所述Ag合金膜进一步含有选自In、Zn、Sn中的任一种或两种以上的元素，选自In、Zn、Sn中的任一种或两种以上元素的合计含量(In+Zn+Sn)与Ge的含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)在0.05以上且0.50以下的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的层叠膜，其特征在于，

所述Ag合金膜进一步含有选自Pd、Au、Pt中的任一种或两种以上的元素，选自Pd、Au、Pt中的任一种或两种以上元素的合计含量(Pd+Au+Pt)与Ge的含量(Ge)的原子比(Pd+Au+Pt)/(Ge)在0.01以上的范围内，且选自In、Zn、Sn、Pd、Au、Pt中的任一种或两种以上元素的合计含量(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)与Ge的含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)/(Ge)在0.50以下的范围内。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的层叠膜，其特征在于，

所述层叠膜的薄层电阻被设为40Ω/□以下，并且通过在面内的多个部位测定的所述薄层电阻的平均值μ_R和标准偏差σ_R所定义的薄层电阻的分布D_R＝(σ_R/μ_R)×100为20％以下。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的层叠膜，其特征在于，

所述透明导电氧化物膜包含选自In氧化物、Sn氧化物、Zn氧化物、Nb氧化物、Ti氧化物、Al氧化物、Ga氧化物中的任一种或两种以上。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的层叠膜，其特征在于，

所述透明导电氧化物膜在波长550nm的折射率在1.9以上且2.4以下的范围内，并且膜厚在5nm以上且50nm以下的范围内。

7.一种Ag合金溅射靶，其特征在于，

其组成为包含5.0原子％以上且13.0原子％以下的范围内的Ge，且剩余部分为Ag及不可避免的杂质，

并且，结晶粒径的平均值为200μm以下，

通过在溅射面的多个部位测定的结晶粒径的平均值μ_GS与结晶粒径的标准偏差σ_GS所定义的结晶粒径的分布D_GS＝(σ_GS/μ_GS)×100为25％以下。

8.权利要求7所述的Ag合金溅射靶，其特征在于，

其进一步含有选自In、Zn、Sn中的任一种或两种以上的元素，选自In、Zn、Sn中的任一种或两种以上元素的合计含量(In+Zn+Sn)与Ge的含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn)/(Ge)在0.05以上且0.50以下的范围内。

9.根据权利要求7或8所述的Ag合金溅射靶，其特征在于，

其进一步含有选自Pd、Au、Pt中的任一种或两种以上的元素，选自Pd、Au、Pt中的任一种或两种以上元素的合计含量(Pd+Au+Pt)与Ge的含量(Ge)的原子比(Pd+Au+Pt)/(Ge)在0.01以上的范围内，且选自In、Zn、Sn、Pd、Au、Pt中的任一种或两种以上元素的合计含量(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)与Ge的含量(Ge)的原子比(In+Zn+Sn+Pd+Au+Pt)/(Ge)在0.50以下的范围内。