[发明专利]气动支撑装置和具备气动支撑装置的光刻设备

说明书

本发明提供一种用于光刻设备的气动支撑装置和具备这种支撑装置的光刻设备。所述支撑装置包括气弹簧。所述气弹簧包括悬挂部件、被悬挂部件和压力腔室，所述压力腔室被配置用于相对于所述悬挂部件支撑所述被悬挂部件。所述支撑装置还包括被配置成用于相对于所述悬挂部件定位所述被悬挂部件的致动器、被配置用于产生表示所述悬挂部件的加速度的第一传感器信号的加速度传感器、被配置用于产生表示所述压力腔室中的压力的第二传感器信号的压力传感器。所述控制单元被配置成：接收第一传感器信号、接收第二传感器信号、在低通滤波器中对所述第一传感器信号进行滤波、在高通滤波器中对所述第二传感器信号进行滤波、基于经滤波的第一传感器信号和经滤波的第二传感器信号来确定由所述悬挂部件对所述被悬挂部件施加的力以及基于所述力产生针对所述致动器的控制信号。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年4月25提交的欧洲申请18169148.6的优先权，并且其通过引用全文并入本申请中。

技术领域

本发明涉及一种用于光刻设备的气动支撑装置以及一种包括这种支撑装置和光刻设备的组件。

背景技术

光刻设备是一种将所需的图案应用到衬底上的机器。例如，光刻设备可用于集成电路(IC)的制造。例如，光刻设备可将图案形成装置(例如掩模)的图案(也常被称为“设计布局”或“设计”)投影到设置于衬底(例如晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。

随着半导体制造工艺持续进步，电路元件的尺寸一直持续地减小，而功能元件(诸如晶体管)的数量在过去数十年中一直稳步增加，遵循通常被称为“摩尔定律”的趋势。为了跟上摩尔定律，半导体行业正在追寻能够创造出越来越小的特征的技术。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定了在基底上图案化的特征的最小大小。目前使用的典型波长为365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与例如利用193nm波长的辐射的光刻设备相比，可使用波长在4nm至20nm范围内(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备来在衬底上形成更小的特征。

在光刻设备中，图案的转印通常是经由成像到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。一般来说，单个衬底将包含连续地图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器以及所谓的扫描器，在所述步进器中通过将整个图案一次曝光于目标部分来照射每个目标部分，在所述扫描器中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描所述图案来照射每个目标部分且同时平行或反平行于此方向同步地扫描所述衬底。典型地，这样的经图案化的辐射束在所述图案形成装置与所述衬底上的所述目标部分之间经历各种变换(例如，缩小)。这种变换通常通过投影系统来实现，所述投影系统可以包括各种光学元件，诸如反射镜和/或透镜。如果在将所述图案转印到目标部分的过程中，此类光学元件的相对位置将会发生改变，则这可能导致如由所述衬底所接收的经图案化的辐射束的变形或位移。这种变形或位移可能导致重叠误差。为了避免或减轻这种影响，已建议通过一个或更多个气动支撑装置来将承载所述投影系统支撑于基部框架上，并且在前馈控制中使用由所述基部框架所经历的加速度，以便防止作用在基部框架上的力干扰所述投影系统的位置。然而，已经观察到，这种前馈控制确实满足了对所述光刻设备的关键部件(如照射系统、投影系统、衬底支撑件和掩模支撑件)的位置补偿的准确度的日益提高的要求。如此，需要一种气动支撑装置，其具有与基部框架的加速的有所改善的隔离，更一般而言，需要一种气动支承装置，其中气动支承装置的被悬挂部件与气动支承装置的悬挂部件的加速较好地隔离。

发明内容

期望提供一种光刻设备，由此可以更准确地控制投影系统的光学元件的位置。

根据本发明的第一方面，提供了一种用于光刻设备的气动支撑装置，

其中气动支撑装置包括：

-气弹簧，包括：

-悬挂部件，