[发明专利]功率半导体芯片上的材料减少的金属板

权利要求书

1.一种功率半导体模块(10)，所述功率半导体模块包括：

衬底(12)，所述衬底具有金属化层(18)；

功率半导体芯片(14)，所述功率半导体芯片被结合到所述衬底(12)的所述金属化层(18)；

金属板(24)，所述金属板以第一表面与所述衬底(12)相反地结合到所述功率半导体芯片(14)，所述金属板(24)具有中央部分以及边界，所述中央部分以及所述边界都结合到所述功率半导体芯片(14)；

其中，多个金属互连元件(32、42)在所述中央部分(34)处结合到所述金属板(24)的第二表面；

其中，所述金属板(24)的所述边界(36)构造成使得与所述金属板(24)的中央部分(34)相比，所述金属板(24)在所述边界(36)处具有更少的每单位面积金属材料。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块(10)，其中，从所述金属板(24)的提供所述第二表面的一侧去除金属材料。

3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块(10)，

其中，所述金属板的所述第一表面覆盖所述功率半导体芯片(14)的电极(26)的50％以上。

4.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块(10)，

其中，所述金属板(24)的所述边界(36)比所述金属板(24)的所述中央部分(34)更薄。

5.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块(10)，

其中，所述边界(36)在所述第二表面中具有凹陷(40')和/或在所述第二表面中具有孔(40)。

6.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块(10)，

其中，所述边界(36)具有通孔(40)。

7.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块(10)，

其中，所述金属板(24)的所述边界(36)中的至少一个的厚度小于100μm；以及

所述金属板(24)的所述中央部分(34)的厚度大于30μm。

8.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块(10)，

其中，所述金属板(24)的所述中央部分(34)中的至少一个是平坦的。

9.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块(10)，

其中，结合线(32)被结合到所述中央部分(34)；和/或

其中，金属带(42)被结合到所述中央部分(34)。

10.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块(10)，

其中，所述金属板(24)由Cu制成。

11.一种制造功率半导体模块(10)的方法，所述方法包括：

将功率半导体芯片(14)结合到衬底(12)的金属化层(18)；

构造金属板(24)的边界(36)，使得与所述金属板(24)的中央部分(34)相比，所述金属板(24)在边界(36)处具有更少的每单位面积金属材料；

将所述金属板(24)以第一表面与衬底(12)相反地结合到所述功率半导体芯片(14)，其中，所述中央部分(34)和所述边界(36)被结合到所述功率半导体芯片(14)；

在所述金属板(24)的所述中央部分(34)处将多个互连元件(32、42)结合到所述金属板(24)的第二表面。

12.根据权利要求11所述的方法，

其中，利用电化学蚀刻来构造所述金属板(24)的所述边界(36)。

13.根据权利要求11或12中任一项所述的方法，

其中，通过冲压来构造所述金属板(24)的所述边界(36)。