[发明专利]研磨用组合物及研磨方法

说明书

本发明提供一种手段，其即使将研磨用组合物以浓缩液的状态长期间保管，也可以稳定地维持固定的研磨率。本发明为包含磨粒、碱性化合物、有机物和水的研磨用组合物，涉及通过下述式(1)测定的前述研磨用组合物的浓缩液的磨粒吸附参数不足15％的研磨用组合物，此处，C₀为前述研磨用组合物的浓缩液所包含的全部有机碳量(重量ppm)，C₁为对前述研磨用组合物的浓缩液进行离心分离处理而使前述磨粒沉淀，回收上清液，前述上清液所包含的全部有机碳量(重量ppm)。磨粒吸附参数(％)＝[(C₀‑C₁×(100‑A/2.2)/100)/C₀)]×100(1)。

技术领域

本发明涉及研磨用组合物及使用该研磨用组合物的研磨方法。

背景技术

基于平坦化等各种要求，硅、铝、镍、钨、铜、钽、钛、不锈钢等金属或半导体、或这些的合金；碳化硅、氮化镓、砷化镓等化合物半导体晶圆材料被研磨，并应用于各种领域。

其中，在集成电路等半导体元件的制作中，为了制作高平坦且具有无缺陷、杂质的高品质镜面的镜面晶圆，正对研磨硅晶圆的技术进行各种各样的研究。

在研磨中，为了将晶圆表面加工为高精度、且雾度少的镜面，可以使用除了磨粒外还含有研磨助剂的研磨用组合物。例如，日本特开2012-15462号公报中提出了包含研磨材(磨粒)、特定的高分子化合物和水系介质的研磨液组合物。

发明内容

通常，研磨用组合物在以较高浓度混合有磨粒、研磨助剂等的浓缩液状态下被保管/输送，通过直接使用该浓缩液、或使用将其稀释得到的研磨用组合物来进行硅晶圆的研磨。并且通过日本特开2012-15462号公报的技术，可以使这样的浓缩液的保管稳定性提高。

然而，使用如上述的研磨用组合物进行硅晶圆的研磨时，即使使用具有相同组成(相同成分比率)的研磨用组合物时，取决于使用时机，研磨率也会有发生变化的情况。即，基于浓缩液的保管时间、使用时机，有无法得到固定的研磨率，从而研磨性能发生偏差的问题。

本发明是鉴于所述情况而做成的，目的在于提供即使以浓缩液的状态长期间保管，也可稳定地维持固定的研磨率的研磨用组合物。另外，本发明的另一目的在于提供使用这样的研磨用组合物的研磨方法。

上述问题可以通过研磨用组合物解决，所述研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物、有机物、和水，且通过以下条件测定的前述研磨用组合物的浓缩液的磨粒吸附参数不足15％：

(1)求出前述研磨用组合物的浓缩液所包含的全部有机碳量C₀(重量ppm)；

(2)对前述研磨用组合物的浓缩液进行离心分离处理而使前述磨粒沉淀，回收上清液，并求出前述上清液所包含的全部有机碳量C₁(重量ppm)；

(3)根据前述C₀、前述C₁及前述研磨用组合物的浓缩液所包含的前述磨粒的含量A(重量％)，通过下述式(1)算出磨粒吸附参数。

磨粒吸附参数(％)＝[(C₀-C₁×(100-A/2.2)/100)/C₀)]×100(1)

具体实施方式

本发明的一个方式为包含磨粒、碱性化合物、有机物、和水的研磨用组合物，

其为通过以下条件测定的前述研磨用组合物的浓缩液的磨粒吸附参数不足15％的研磨用组合物：

(1)求出前述研磨用组合物的浓缩液所包含的全部有机碳量C₀(重量ppm)；