[发明专利]导电膜

权利要求书

1.一种制备导电膜的方法，所述方法包括：

提供具有剥离表面的剥离层，所述剥离表面任选地为拓扑结构化表面；

在所述剥离层上沉积至少一个导电层，由此所述至少一个导电层具有基本上复制所述剥离表面的外表面；以及

将所述至少一个导电层从所述剥离层剥离以获得所述导电膜。

2.一种制备导电膜的方法，所述方法包括：

提供具有主表面的导电种晶层，其中所述主表面的选定部分被放置成与掩模层接触；

在所述主表面的未被所述掩模层覆盖的那部分上沉积剥离层；

在所述剥离层上沉积至少一个导电层，由此所述至少一个导电层选择性地沉积在未被所述掩模层覆盖的部分上；以及

将所述至少一个导电层从所述剥离层剥离以获得所述导电膜。

3.根据权利要求1或2所述的方法，所述方法还包括在所述至少一个导电层上沉积基底层，其中所述基底层和所述至少一个导电层从所述剥离层共同剥离。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述基底层包括热塑性层，并且其中可固化层在将所述基底层和所述至少一个导电层从所述剥离层剥离之前固化。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述基底层包括可固化层，并且其中所述可固化层在将所述基底层和所述至少一个导电层从所述剥离层剥离之前至少部分地固化。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中为所述剥离层提供所述拓扑结构化表面和/或经掩蔽的表面包括在拓扑结构化基板和/或经掩蔽的基板上真空沉积所述剥离层或其前体。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在拓扑结构化基板和/或经掩蔽的基板上真空沉积所述剥离层或其前体包括：

在所述拓扑结构化基板和/或经掩蔽的基板上提供种晶层；以及

在所述种晶层上真空沉积所述剥离层或其前体；

以及任选地在沉积所述剥离层之前或之后将掩模沉积在所述种晶层上。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述种晶层包含金属，并且所述剥离层包含镍。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述种晶层包含金属，并且所述剥离层包含金属氧化物。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述金属氧化物包括氧化铜。

11.根据权利要求6所述的方法，其中所述剥离层包含金属氧化物，并且其中在拓扑结构化基板和/或经掩蔽的基板上真空沉积所述剥离层或其前体包括：

在所述拓扑结构化基板上真空沉积导电种晶层；以及

氧化所述种晶层；以及

任选地，在氧化所述种晶层之前或之后将掩模沉积在所述种晶层上。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述导电种晶层包含铜，并且所述金属氧化物包括氧化铜。

13.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中所述剥离层包含金属氧化物，所述拓扑结构化基板和/或经掩蔽的基板包含金属，并且其中所述金属氧化物是通过氧化所述拓扑结构化基板和/或经掩蔽的基板的表面而获得的。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述金属包括铜，并且所述金属氧化物包括氧化铜。

15.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中所述剥离层包含金属氧化物，并且为所述剥离层提供拓扑结构化表面和/或经掩蔽的表面包括抵靠拓扑结构化基板压印可成形层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述可成形层包含铜，并且所述金属氧化物包括氧化铜。