[发明专利]具有热互连结构的封装衬底电感器在审
| 申请号: | 201980022394.1 | 申请日: | 2019-06-03 |
| 公开(公告)号: | CN111971790A | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
| 发明(设计)人: | M·J·希尔;H·T·杜;A·奥古斯丁 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
| 主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/492;H01L49/02 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘瑜 |
| 地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 互连 结构 封装 衬底 电感器 | ||
1.一种微电子封装结构,包括:
衬底;
在所述衬底的第一侧上的管芯,所述管芯包括集成电路;
电感器,其中,所述电感器包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧,其中,所述第二侧至少部分地嵌入在所述衬底中,并且其中,所述电感器的所述第一侧与所述衬底的第二侧的表面基本共面;
板,其中,所述板的第一侧物理耦合和电耦合到所述衬底的所述第二侧;
板导电特征,其中,所述板导电特征的第一侧与所述板的所述第一侧基本共面,并且其中,所述板导电特征的第二侧至少部分地嵌入在所述板内;以及
一个或多个热互连结构,所述一个或多个热互连结构在所述电感器的所述第一侧和所述板导电特征的所述第一侧之间,其中,所述电感器热耦合到所述板导电特征。
2.根据权利要求1所述的微电子器件封装结构,其中,所述电感器包括通过导电过孔结构彼此耦合的一个或多个导电层。
3.根据权利要求2所述的微电子器件封装结构,其中,所述电感器包括第二导电层之上的第一导电层,并且其中,所述板导电特征包括第二板导电层之上的第一板导电层,其中,所述电感器的所述第一导电层与所述衬底的所述第二侧基本共面,并且其中,所述第一板导电层与所述板的所述第一侧基本共面,并且其中,所述电感器的所述第一导电层的厚度与所述第一板导电层的厚度基本相同。
4.根据权利要求3所述的微电子器件封装结构,其中,所述电感器的所述第一导电层和所述第一板导电层在所述管芯的覆盖区内。
5.根据权利要求3所述的微电子封装结构,其中,所述电感器的所述第一导电层包括的长度基本等于所述第一板导电层的长度。
6.根据权利要求3所述的微电子封装结构,其中,所述第一板导电层是所述电感器的所述第一导电层的镜像,其中,所述镜像是通过所述一个或多个热互连结构的中心部分的反射。
7.根据权利要求3所述的微电子封装结构,其中,所述电感器的所述第一导电层的侧壁与所述第一板导电层的侧壁对齐。
8.根据权利要求1所述的微电子封装结构,其中,所述管芯包括电压调节器的一部分,并且其中,所述电感器电耦合到所述电压调节器。
9.根据权利要求1所述的微电子封装结构,其中,所述一个或多个热互连结构在所述管芯的覆盖区内。
10.一种组件,包括:
板,所述板包括板导电特征,其中,所述板导电特征的表面与所述板的表面共面;
电耦合到所述板的微电子器件封装,所述微电子器件封装包括:
衬底;
电感器,其中,所述电感器的表面与所述衬底的表面基本共面;以及
一个或多个热互连结构,所述一个或多个热互连结构在所述电感器的所述表面与所述板导电特征的表面之间。
11.根据权利要求10所述的组件,其中,所述电感器热耦合到所述板导电特征。
12.根据权利要求11所述的组件,其中,一个或多个焊料球在所述衬底和所述板之间,并且与所述管芯的覆盖区相邻。
13.根据权利要求11所述的组件,其中,所述板导电特征的至少一部分是所述电感器的至少一部分的镜像,其中,所述镜像是通过所述一个或多个热互连结构的中心部分的反射。
14.根据权利要求10所述的组件,其中,所述管芯包括处理器,其中,所述处理器包括电压调节器电路,并且其中,所述电感器电耦合到所述电压调节器电路。
15.根据权利要求10所述的组件,其中,所述电感器包括空芯电感器。
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