[发明专利]树脂膜、包含该树脂膜的显示器及它们的制造方法在审
| 申请号: | 201980021157.3 | 申请日: | 2019-03-22 |
| 公开(公告)号: | CN111937124A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
| 发明(设计)人: | 芦部友树;宫崎大地 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;G02F1/13;G02F1/1333;G02F1/1368;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/02 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 焦成美 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 树脂 包含 显示器 它们 制造 方法 | ||
本发明的一个方案的树脂膜是作为薄膜晶体管的支承基板使用的树脂膜,其包含耐热性树脂。该树脂膜的规定的树脂膜面的薄层电阻大于1×1012Ω且小于1×1016Ω。这样的树脂膜由于异物难以附着,因而可有助于在高温工艺中抑制因由异物产生的气体所致的TFT元件的破损。另外,该树脂膜可以作为薄膜晶体管的支承基板而设置于显示器。
技术领域
本发明涉及树脂膜、包含该树脂膜的显示器及它们的制造方法。
背景技术
聚酰亚胺、聚苯并噁唑、聚苯并噻唑、聚苯并咪唑等耐热性树脂被用作各种电子器件的材料。近来,通过在有机EL显示器、电子纸、滤色器等显示器的基板中使用树脂膜,从而能够制造耐冲击的柔性显示器。尤其是显示器用的薄膜晶体管(Thin Film Transistor:TFT)在制造工序中需要高温处理,因此正在推进开发将耐热性树脂的树脂膜用于其支承基板。
TFT支承基板用的树脂膜使用除具有高耐热性外还具有高绝缘性的树脂膜。例如在专利文献1中报告了通过使用具有1×1017[Ω·cm]以上的体积电阻率的树脂基板作为TFT基板来制造可靠性优异的TFT的例子。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-212360号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是,专利文献1中记载的树脂膜存在异物容易附着于膜上这样的课题。尤其是在TFT的制造工艺中,TFT的支承基板中所使用的树脂膜会通过高温工艺,因此TFT元件有可能被由附着于该树脂膜上的少量异物产生的气体破坏而成为像素缺陷。因此,存在TFT制造的成品率恶化这样的课题。
本发明是鉴于上述课题而完成的发明,其目的在于提供异物难以附着、能够提高TFT制造的成品率且适合于TFT支承基板的树脂膜、包含该树脂膜的显示器以及它们的制造方法。
用于解决课题的手段
为了解决上述的课题并且达成目的,本发明涉及的树脂膜,其特征在于,其被用作薄膜晶体管的支承基板,所述树脂膜包含耐热性树脂,并且规定的树脂膜面的薄层电阻大于1×1012Ω且小于1×1016Ω。
另外,本发明涉及的树脂膜,其特征在于,在上述的发明中,还包含导电性粒子。
另外,本发明涉及的树脂膜,其特征在于,在上述的发明中,前述导电性粒子为碳粒子。
另外,本发明涉及的树脂膜,其特征在于,在上述的发明中,前述导电性粒子的含量相对于前述耐热性树脂的100质量份而言为0.01质量份以上且3质量份以下。
另外,本发明涉及的树脂膜,其特征在于,在上述的发明中,膜厚为4μm以上且40μm以下。
另外,本发明涉及的树脂膜,其特征在于,在上述的发明中,前述规定的树脂膜面的算术平均粗糙度为10nm以下。
另外,本发明涉及的显示器,其特征在于,其具备上述的发明中任一项所述的树脂膜。
另外,本发明涉及的树脂膜的制造方法,其特征在于,其制造上述的发明中任一项所述的树脂膜,所述制造方法包括:涂布工序,将包含耐热性树脂或前述耐热性树脂的前体、和溶剂的树脂组合物涂布于支承体;以及加热工序,对利用前述涂布工序得到的涂膜进行加热而得到树脂膜。
另外,本发明涉及的树脂膜的制造方法,其特征在于,在上述的发明中,包括对加热后的前述树脂膜进行研磨的研磨工序。
另外,本发明涉及的树脂膜的制造方法,其特征在于,在上述的发明中,包括对加热后的前述树脂膜照射激光的照射工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





