[发明专利]树脂膜、包含该树脂膜的显示器及它们的制造方法在审
| 申请号： | 201980021157.3 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN111937124A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 芦部友树;宫崎大地 | 申请（专利权）人： | 东丽株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G02F1/13;G02F1/1333;G02F1/1368;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 焦成美 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 树脂 包含 显示器 它们 制造 方法 | ||
1.树脂膜，其特征在于，其被用作薄膜晶体管的支承基板，
所述树脂膜包含耐热性树脂，
规定的树脂膜面的薄层电阻大于1×1012Ω且小于1×1016Ω。
2.根据权利要求1所述的树脂膜，其特征在于，其还包含导电性粒子。
3.根据权利要求2所述的树脂膜，其特征在于，所述导电性粒子为碳粒子。
4.根据权利要求2或3所述的树脂膜，其特征在于，所述导电性粒子的含量相对于100质量份所述耐热性树脂而言为0.01质量份以上且3质量份以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的树脂膜，其特征在于，膜厚为4μm以上且40μm以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的树脂膜，其特征在于，所述规定的树脂膜面的算术平均粗糙度为10nm以下。
7.显示器，其特征在于，其具备权利要求1～6中任一项所述的树脂膜。
8.树脂膜的制造方法，其特征在于，其是制造权利要求1～6中任一项所述的树脂膜的树脂膜的制造方法，
所述制造方法包括：
涂布工序，将包含耐热性树脂或所述耐热性树脂的前体、和溶剂的树脂组合物涂布于支承体；以及
加热工序，对利用所述涂布工序得到的涂膜进行加热而得到树脂膜。
9.根据权利要求8所述的树脂膜的制造方法，其特征在于，其包括对加热后的所述树脂膜进行研磨的研磨工序。
10.根据权利要求8所述的树脂膜的制造方法，其特征在于，其包括对加热后的所述树脂膜照射激光的照射工序。
11.根据权利要求8所述的树脂膜的制造方法，其特征在于，其包括：
抗蚀剂涂布工序，在加热后的所述树脂膜上涂布抗蚀剂而形成所述支承体上的所述树脂膜与覆盖所述树脂膜的所述抗蚀剂的层叠体；以及
蚀刻工序，对所得的所述层叠体从涂布有所述抗蚀剂的一侧进行干蚀刻而使所述树脂膜露出。
12.显示器的制造方法，其特征在于，其包括：
膜制造工序，利用权利要求8～11中任一项所述的树脂膜的制造方法在支承体上制造树脂膜；
元件形成工序，在所述树脂膜上形成薄膜晶体管元件；以及
剥离工序，从所述支承体剥离形成有所述薄膜晶体管元件的所述树脂膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
