[发明专利]基板处理用气体、保管容器和基板处理方法

说明书

本发明的目的在于，提供蚀刻速度快且偏差的抑制优异的基板处理用气体、保管其的保管容器和基板处理方法。本发明的基板处理用气体含有IF₅和IF₇，IF₅的含量相对于IF₇整体以体积基准计为1ppm以上且2％以下。

技术领域

本发明涉及基板处理用气体、保管容器和基板处理方法。

背景技术

迄今为止，对于IF₇气体(七氟化碘)的制造技术进行了各种研究。作为这种技术，已知例如专利文献1中记载的技术。专利文献1中，在循环供给氟气的同时，使另一种原料、即五氟化碘发生气化，并使两者在气体的状态下混合、发生反应(专利文献1的权利要求1、第0001段等)。并且，所得气体是未反应的五氟化碘气体、作为制品的七氟化碘气体和未反应的氟气，利用各种气体在不同温度下发生液化的情况而如下那样地进行分离/回收。具体记载了：五氟化碘利用IF5冷阱40进行冷却捕集，七氟化碘利用IF7冷阱44进行冷却捕集，滞留在IF7冷阱44内的七氟化碘通过从冷却切换至加热而发生气化，并被输送(回收)至IF7回收气瓶66中(专利文献1的第0020段)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-265057号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，本发明人经研究的结果可知：上述专利文献1所记载的IF₇气体在蚀刻速度的快慢和偏差的方面尚有改善的余地。

用于解决问题的方案

本发明人进行了进一步研究，结果发现：单独将IF₇气体用作基板处理用气体时，蚀刻速度的最大值变得良好，但蚀刻速度的偏差有时变大。对于基板处理用气体而言，若蚀刻速度发生变动，则受到浸蚀速度、蚀刻深度等蚀刻条件的影响，担心制品间的品质可能发生偏差。

基于这种见解而进行了进一步深入研究，结果明确了：通过使用在IF₇中添加有IF₅的混合气体，从而能够抑制蚀刻速度的偏差。虽然详细机理尚不确定，但可考虑出：通过IF₅能够抑制在IF₇单一气体时发生的IF₇的分解，因此能够抑制蚀刻速度的偏差。

另一方面，明确了：通过适当地选择IF₅相对于IF₇的添加量上限，从而能够抑制蚀刻速度降低至特定值以下。

像这样发现：通过适当地控制IF₅相对于IF₇的添加量范围，从而能够提高基板处理用气体的蚀刻速度的快慢，且抑制蚀刻速度的偏差，以至完成了本发明。

根据本发明，提供一种基板处理用气体，

其含有IF₅和IF₇，前述IF₅的含量相对于前述IF₅与前述IF₇的总计以体积基准计为1ppm以上且2％以下。

此外，根据本发明，提供一种保管容器，其在内部填充有上述基板处理用气体。

此外，根据本发明，提供一种基板处理方法，其中，使用上述基板处理用气体，在无等离子体的条件下对硅进行干蚀刻。

发明的效果

根据本发明，提供蚀刻速度快且偏差的抑制优异的基板处理用气体、保管其的保管容器和基板处理方法。