[发明专利]基板处理用气体、保管容器和基板处理方法在审
| 申请号： | 201980020982.1 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111886674A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 八尾章史;武田雄太;江藤纯 | 申请（专利权）人： | 中央硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;C01B7/24;H01L21/205;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 气体 保管 容器 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基板处理用气体，其含有IF5和IF7，所述IF5的含量相对于所述IF5与所述IF7的总计以体积基准计为1ppm以上且2％以下。
2.根据权利要求1所述的基板处理用气体，其中，
所述IF5的含量相对于所述IF5与IF7的总计以体积基准计为1％以下。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理用气体，其中，
所述IF7的含量相对于该基板处理用气体整体以体积基准计为50％以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理用气体，其含有选自由Fe、Cr、Mn、Co、Ti、Mo、Cu和Ni组成的组中的一种以上的金属，所含有的所述金属各自的含量相对于该基板处理用气体整体以质量基准计为100ppb以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理用气体，其用于蚀刻气体。
6.一种保管容器，其中，在内部填充有权利要求1～5中任一项所述的基板处理用气体。
7.一种基板处理方法，其使用权利要求1～5中任一项所述的基板处理用气体，在无等离子体的条件下对硅进行干蚀刻。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，在进行了10次硅的干蚀刻的情况下，
蚀刻速度的平均值为100nm/分钟以上，
蚀刻速度的标准偏差为10以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中央硝子株式会社，未经中央硝子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980020982.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种资源配置方法及设备、计算机可读存储介质
- 下一篇：用于车辆的传感器组件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
