[发明专利]半导体组件

说明书

本公开的半导体组件具备：绝缘基板；第一导体部，其配置于所述绝缘基板；第二导体部，其配置于所述绝缘基板；第一半导体元件，其安装于所述第一导体部；第二半导体元件，其安装于所述第二导体部；第一母线，其在所述第一半导体元件与所述第二半导体元件之间的区域内与所述第一导体部连接；第二母线，其与所述第二半导体元件连接；以及输出母线，其将所述第一半导体元件与所述第二导体部连接，并在所述第一半导体元件与所述第二半导体元件之间的区域内与所述第二导体部连接。所述输出母线配置为与所述第一母线的至少一部分重叠，在所述输出母线与所述第一母线重叠的区域，所述输出母线位于比所述第一母线靠上方的位置。

技术领域

本公开涉及一种在各种电子设备中使用的半导体组件。

背景技术

下面，使用附图来说明以往的半导体组件。图7是示出以往的半导体组件1的结构的立体图，图8是示出以往的半导体组件1的结构的截面图，半导体组件1具有上臂半导体2和下臂半导体3。上臂半导体2的漏电极2D与被供给正电压的正电极端子30连接，上臂半导体2的源电极2S与引线5连接，引线5连接至输出端子4。下臂半导体3的漏电极3D与输出端子4连接，下臂半导体3的源电极3S与引线5连接，引线5连接负电极端子6。

而且，由于在源电极2S与输出端子4之间以及源电极3S与负电极端子6之间流过大电流，因此通过将多个引线5以并联连接的方式设置来确保电流容量。

此外，作为与该申请相关联的现有技术文献信息，例如已知有专利文献1。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2016/002385号

发明内容

本公开的一个方式的半导体组件具备：绝缘基板，其在第一方向上具有面；第一导体部，其在所述第一方向上具有面，所述第一导体部配置于所述绝缘基板的所述面；第二导体部，其在所述第一方向上具有面，所述第二导体部配置于所述绝缘基板的所述面；第一半导体元件，其安装于所述第一导体部的所述面；第二半导体元件，其安装于所述第二导体部的所述面，相对于所述第一半导体元件位于第二方向上；第一母线，其在从所述第一方向观察的所述第一半导体元件与所述第二半导体元件之间的区域内与所述第一导体部的所述面连接，被供给第一电位和第二电位中的一方；第二母线，其与所述第二半导体元件连接，被供给所述第一电位和所述第二电位中的另一方；以及输出母线，其将所述第一半导体元件与所述第二导体部的所述面连接，在从所述第一方向观察的所述第一半导体元件与所述第二半导体元件之间的所述区域内与所述第二导体部的所述面连接，其中，在从所述第一方向观察时，所述输出母线配置为与所述第一母线的至少一部分重叠，在从所述第一方向观察时，在所述输出母线与所述第一母线重叠的区域，所述输出母线相对于所述第一母线位于所述第一方向上，所述输出母线输出被供电至所述第一半导体元件或者所述第二半导体元件的所述第一电位或者所述第二电位。

根据本公开，与第一导体部连接的第一母线以比第一导体部更接近输出母线且与输出母线相对的状态配置。因此，特别是在将从外部通过第一半导体元件供电的电力向输出侧供给时，输出母线和第一母线双方中产生的磁通量容易被抵消，从而抑制输出母线和第一母线双方中的电感成分的值。并且，容易获得在第一母线与输出母线之间产生的电容成分，抑制成为伴随瞬间的阻抗上升而产生浪涌电压的主要原因的在第一母线和输出母线双方中的电感成分。结果是，在半导体元件的开关频率变高的情况下，也能够抑制浪涌电压的产生。

附图说明

图1是示出本公开的实施方式1中的半导体组件的结构的立体图。

图2是示出本公开的实施方式1中的半导体组件的结构的截面图。

图3是示出本公开的实施方式1中的半导体组件的结构的电路块概要图。