[发明专利]用于EUV光刻的光学配置

说明书

本发明关于一种用于EUV光刻的光学配置，包括：至少一个具有主体(32)的部件(23)，该主体具有在该光学配置的操作期间暴露于活性氢(H⁺、H^*)的至少一个表面区域(30)，其中该主体(32)包含至少一个材料，其在接触表面区域(30)时与该活性氢(H⁺、H^*)形成至少一个挥发性氢化物。在该表面区域上，将贵金属离子(38)植入该主体(32)，以避免形成该挥发性氢化物。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年3月22日申请的德国专利申请10 2018 204 364.7的优先权，通过引用，该申请的全部公开内容被认为是本申请的公开内容的一部分且被并入本申请的公开内容中。

技术领域

本发明关于用于EUV光刻的光学配置，其包括：至少一个具有主体的部件，该主体具有至少一个在该光学配置操作期间暴露于活性氢的表面区域，其中该主体包含至少一个材料，其在接触该表面区域时与该活性氢形成至少一个挥发性氢化物。

背景技术

用于EUV光刻的光学配置可为用于晶片曝光的EUV光刻设备，或者使用EUV辐射的一些其他光学配置，例如EUV检查系统，例如EUV光刻当中用于测量或检查掩模、晶片等的配置。

用于EUV光刻的光学配置通常在真空条件下操作，以防止存在于该光学配置中的残余气体吸收EUV辐射，并因此减少该光学配置的透射。存在于这种光学配置的真空环境中的残余气体可与少量氢气和/或其他反应性气体混合，这些气体针对配置在真空环境中的反射光学元件提供保护作用，并且只少量吸收EUV辐射。

在这种光学配置(例如EUV光刻设备)的操作期间，氢等离子体通常在EUV辐射的影响下形成于此真空环境中，也就是说形成氢离子和/或氢自由基形式的活性氢。在考虑到由该活性氢引起的蚀刻攻击时，在材料或用于EUV光刻的光学配置内部件的未覆盖、通常未涂覆表面区域上，可形成氢化物形式的蚀刻产物，其经历转变为气相并释放到该真空环境中(所谓的“氢诱发释气”，(HIO，Hydrogen-induced outgassing))。该类型的蚀刻产物可沉积在反射光学元件的表面上，特别是在光学使用区域中，即通常在反射涂层上。由于这些沉积物，该光学配置失去EUV辐射的传输，因此失去性能和生产率。

DE 10 2015 215 014 A1描述一种EUV投射曝光设备，其包括限定一内部的壳体。在操作期间，可在该内部内产生氢离子和/或氢自由基。EUV投射曝光设备包括多个部件，这些部件至少部分容纳在该内部内，并且至少部分包括由贵金属构成的层，例如由Rh、Ru、Ir、Pd、Pt构成。选择该层的最小层厚度使得氢离子和/或氢自由基不能穿透该层。层厚度通常落在50nm至1000nm的范围内。

DE 102017213181.0描述一种用于EUV辐射的光学配置，其包括至少一个具有主体的反射光学元件，其中该主体具有反射EUV辐射的涂层。至少一个屏蔽件安装在该主体的至少一个表面区域上，并且在该光学配置的操作期间保护至少一个表面区域免受围绕该光学元件的等离子体的蚀刻影响。在一个示例性实施例中，该屏蔽件由与该主体的表面区域分离的阻挡件所形成。在另一示例性实施例中，该屏蔽件被直接施加于该主体的表面区域上，并且可例如由Ru、Rh、Ir、Pt、Au、Ni、Ti、Cu、Al₂O₃或Pd形成。在其他示例性实施例中，该屏蔽件形成间接连接至该主体的表面区域的保护膜。

通过使用层或涂层形式的屏蔽件，存在有可能在活性氢影响下会脱落这类问题，例如因为在层中形成气泡。具有几个纳米厚度的涂层或间接连接到该表面的保护膜可另外改变该主体的表面形状(形态)。此外，例如由Ir、Pd、Pt或Rh所构成的层的生产成本是相当大的。使用阻挡件形式的屏蔽件与额外的组装费用相关联，并且在组装期间存在光学元件或其他部件损坏的风险。

发明内容